[发明专利]制造半导体基底材料的方法、半导体设备和电子装置

权利要求书

1.一种制造半导体基底材料的方法，该方法处理衬底使得衬底表面具有凹凸结构、并且在衬底上外延生长半导体层使得对所述凹凸结构进行掩埋，所述方法包括：

通过光刻工艺在衬底表面上形成抗蚀剂掩模的步骤；以及

使用抗蚀剂掩模选择性地刻蚀衬底以在衬底表面上形成凹凸结构的步骤，

其中形成抗蚀剂掩模的步骤包括针对与转移掩模相对应的每一个曝光区、重复地执行将在转移掩模上形成的曝光图案转移到在衬底上形成的抗蚀剂膜上的工艺的曝光步骤，并且

其中通过基于由于多次曝光导致的曝光量增加，对按照对应方式定位于对于相邻曝光区的曝光在抗蚀剂膜上彼此重叠的多次曝光部附近的遮光图案的尺寸进行校正，获得所述转移掩模。

2.根据权利要求1所述的制造半导体基底材料的方法，其中在衬底上外延生长半导体层的步骤包括沿横向方向在衬底上选择性地生长半导体层的步骤，使得对衬底的凹凸结构进行掩埋。

3.根据权利要求1所述的制造半导体基底材料的方法，其中所述刻蚀衬底的工艺是干法刻蚀工艺。

4.根据权利要求1所述的制造半导体基底材料的方法，其中所述曝光是UV曝光。

5.根据权利要求4所述的制造半导体基底材料的方法，其中将在上面放置衬底的台中配置有步进和重复功能的减小投射型曝光设备用于UV曝光，并且所述步进和重复功能将在台上放置的衬底移动与每一个曝光区相对应的距离，以将转移掩模的遮光图案转移到每一个曝光区。

6.根据权利要求1所述的制造半导体基底材料的方法，其中通过向衬底涂覆正型光致抗蚀形成在衬底上形成的抗蚀剂膜。

7.根据权利要求1所述的制造半导体基底材料的方法，其中通过计算光刻工艺之后的与遮光图案相对应的抗蚀剂图案的尺寸来确定用于对遮光图案的尺寸进行校正的校正量，并且利用多次曝光部中的曝光的积分剂量能量作为参数。

8.根据权利要求7所述的制造半导体基底材料的方法，

其中所述转移掩模包括透明衬底和具有预定开口图案的遮光膜，所述遮光膜形成于透明衬底上，以及

其中所述遮光图案是遮光膜的平面图案。

9.根据权利要求8所述的制造半导体基底材料的方法，其中在转移掩模上形成的遮光膜的遮光图案是点状遮光图案。

10.根据权利要求9所述的制造半导体基底材料的方法，

其中与转移掩模上未校正的遮光图案相对应的点状遮光图案具有直径范围从0.5μm至10μm的平面和圆形形状，并且

其中与转移掩模上的已校正遮光图案相对应的点状遮光图案定位于转移掩模的外围部分处，并且具有其中直径范围从0.5μm至10μm的平面圆形形状朝着转移掩模的外部延伸的形状。

11.根据权利要求7所述的制造半导体基底材料的方法，其中在转移掩模上形成的遮光膜的遮光图案是条纹遮光图案。

12.根据权利要求11所述的制造半导体基底材料的方法，

其中与转移掩模上的未校正遮光图案相对应的条纹遮光图案具有平面带状形状，条带宽度范围从0.5μm至10μm，并且

其中与转移掩模上的已校正遮光图案相对应的条纹遮光图案定位于转移掩模的外围部分处，并且具有其中条带宽度范围从0.5μm至10μm的平面带状形状朝着转移掩模的外部延伸的形状。

13.一种半导体设备，通过在半导体基底材料上形成半导体元件获得所述半导体设备，其中所述半导体基底材料是通过根据权利要求1至12所述的制造半导体基底材料的方法获得的半导体基底材料。

14.一种电子设备，包括半导体设备，其中所述半导体设备是根据权利要求13所述的半导体设备。