[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201180043421.7 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN103098235A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 卢茨·赫佩尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 详述了一种发光二极管芯片，其包括n导电区（1）、p导电区（2）、处于n导电区（1）与p导电区（2）之间的有源区（3）、处于p导电区（2）的远离有源区（3）的那侧处的镜面层（4）、以及被形成为具有电绝缘材料的绝缘层（5），其中镜面层（4）被设计成反射在有源区（3）中产生的电磁辐射，并且镜面层（4）具有穿孔（41），其中，镜面层（4）的侧面区域（4a）在穿孔（41）的区域中完全被绝缘层（5）覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：‑n导电区（1）；‑p导电区（2）；‑有源区（3），所述有源区（3）处于所述n导电区（1）与p导电区（2）之间；‑镜面层（4），所述镜面层（4）处于所述p导电区（2）的远离所述有源区（3）的那侧；以及‑绝缘层（5），所述绝缘层（5）被形成为具有电绝缘材料，其中‑所述镜面层（4）被设计成反射在所述有源区（3）中产生的电磁辐射；以及‑所述镜面层（4）具有穿孔（41），其中，所述镜面层（4）的侧面区域（4a）在所述穿孔（41）的区域中完全被所述绝缘层（5）覆盖。
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