[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：

-n导电区（1）；

-p导电区（2）；

-有源区（3），所述有源区（3）处于所述n导电区（1）与p导电区（2）之间；

-镜面层（4），所述镜面层（4）处于所述p导电区（2）的远离所述有源区（3）的那侧；以及

-绝缘层（5），所述绝缘层（5）被形成为具有电绝缘材料，其中

-所述镜面层（4）被设计成反射在所述有源区（3）中产生的电磁辐射；以及

-所述镜面层（4）具有穿孔（41），其中，所述镜面层（4）的侧面区域（4a）在所述穿孔（41）的区域中完全被所述绝缘层（5）覆盖。

2.根据前述权利要求所述的发光二极管芯片，

其中，所述镜面层（4）的其余外部区域没有所述绝缘层（5）。

3.根据前述权利要求所述的发光二极管芯片，

其中，所述绝缘层（5）能够通过正磷酸来蚀刻。

4.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述绝缘层（5）由无定形陶瓷材料构成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述绝缘层（5）被形成为具有无定形Al2O3或由无定形Al2O3构成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述穿孔（41）邻接开口（8），所述开口（8）延伸穿过所述p导电区（2）和所述有源区（3）、正好进入所述n导电区（1）中或远至所述n导电区（1）。

7.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述穿孔（41）和所述开口（8）填充有导电材料（6），其中，所述绝缘层（5）被布置在所述导电材料（6）与所述镜面层（4）之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，包括

-辐射通过区域（102），所述辐射通过区域（102）由所述n导电区（1）的远离所述p导电区（2）的外部区域在一些地方形成，其中

-在所述辐射通过区域（102）下方实现用于在所述发光二极管芯片的操作期间使所述有源区（3）通电的电流分布。

9.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述镜面层（4）包含银或由银构成。

10.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述导电层（7）被布置在所述镜面层（4）的远离所述p导电区（2）的此外部区域，所述导电层在横向方向上突出超过所述镜面层（4）、所述n导电区（1）、所述p导电区（2）和所述有源区（3），其中，所述导电层（7）在其面向所述镜面层（4）的侧能够在一些地方被随意地接近。

11.根据前述权利要求中任一项所述的发光二极管芯片，

其中，所述导电材料（6）通过钝化层（12）以电绝缘的方式与所述导电层（7）分隔开，其中，所述钝化层（12）具有开口（12’），所述开口（12’）填充有所述导电材料（6）。

12.一种用于制造发光二极管芯片的方法，包括以下步骤：

-设置p掺杂层（2’）;

-将镜面层（4）涂敷到所述p掺杂层（2’）的外部区域（21）；

-通过在一些地方去除所述镜面层（4）而在一些地方露出所述p掺杂层（2’）；

-将绝缘层（5）涂敷到没有所述镜面层（4）的区域中，其中，所述镜面层（4）在其远离所述p掺杂层（2’）的侧与所述绝缘层（5）齐平地终止，并且所述p掺杂层（2’）的侧面区域（2’a）直接邻接所述绝缘层（5）；

-将承载体（9）涂敷在所述镜面层（4）的远离所述p掺杂层（2’）的那侧；以及

-在一些地方去除所述绝缘层（5），以在所述承载体（8）与所述p掺杂层（2’）之间产生中空凹槽（10）。

13.根据前述权利要求所述的方法，

其中，制造根据权利要求1至11中任一项所述的发光二极管芯片。