[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置有效
| 申请号： | 201180042882.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103081135A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 粟饭原范行 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1‑X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1‑X2）Y1In1‑Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。
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