[发明专利]发光二极管、发光二极管灯和照明装置有效
| 申请号： | 201180042882.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103081135A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 粟饭原范行 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 照明 装置 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，具备：
发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1；
在所述发光部上形成的电流扩散层；和
与所述电流扩散层接合的功能性基板，
所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，
所述阱层和势垒层的对数为5以下。
2.一种发光二极管，其特征在于，具备：
发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1，0≤X3≤1，0＜Y2≤1；
在所述发光部上形成的电流扩散层；和
与所述电流扩散层接合的功能性基板，
所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，
所述阱层和势垒层的对数为5以下。
3.根据权利要求1或者2的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与所述覆盖层的接合面积为20000～90000μm2。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成X1为0.20≤X1≤0.36，所述阱层的厚度为3～30nm，发光波长被设定为660～720nm。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成X1为0≤X1≤0.2，所述阱层的厚度为3～30nm，发光波长被设定为720～850nm。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板相对于发光波长是透明的。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板由GaP、蓝宝石或SiC构成。
8.一种发光二极管，其特征在于，具备：
发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，其中，0≤X1≤1；
在所述发光部上形成的电流扩散层；和
功能性基板，所述功能性基板包含与所述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与所述电流扩散层接合，
所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，
所述阱层和势垒层的对数为5以下。
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