[发明专利]具有静电放电保护的测试针阵列有效
| 申请号： | 201180042393.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103098193A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 高国兴 | 申请（专利权）人： | 大科防静电技术咨询（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/60 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 邹秋菊;易钊 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有静电放电保护的测试针阵列（21）包括至少一个改进的测试针（22），所述至少一个改进的测试针（22）具有结合到其插针顶端（23）上的静电耗散元件（24）。在测试针阵列中使用改进的测试针提供了无需使用空气离子发生器，因而费用极其低廉的方案来解决大规模微芯片测试问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 测试 阵列 | ||
【主权项】：
一种具有静电放电保护的测试针阵列，其特征在于，包括至少一个改进的测试针，所述至少一个改进的测试针具有结合到其插针顶端上的静电耗散元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
