[发明专利]具有静电放电保护的测试针阵列有效
申请号: | 201180042393.7 | 申请日: | 2011-08-16 |
公开(公告)号: | CN103098193A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 高国兴 | 申请(专利权)人: | 大科防静电技术咨询(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/60 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 邹秋菊;易钊 |
地址: | 518031 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 保护 测试 阵列 | ||
1.一种具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,包括至少一个改进的测试针,所述至少一个改进的测试针具有结合到其插针顶端上的静电耗散元件。
2.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述静电耗散元件是盖帽到所述至少一个改进的测试针中的所述插针顶端上的附加结构。
3.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述静电耗散元件是涂覆在所述至少一个改进的测试针中的所述插针顶端上的静电耗散材料层。
4.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述至少一个改进的测试针中的所述插针顶端由所述静电耗散元件制成。
5.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,制成所述静电耗散元件的静电耗散材料的静电耗散值的范围为10e4到10e11欧姆。
6.根据权利要求5所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,制成所述静电耗散元件的静电耗散材料的静电耗散值的范围为10e5到10e9欧姆。
7.根据权利要求6所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,制成所述静电耗散元件的静电耗散材料的静电耗散值的范围为10e6到10e8欧姆。
8.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述至少一个改进的测试针总是比所述测试针阵列中的其他测试针略高,以使所述至少一个改进的测试针能够首先接触微芯片的对应接触点,从而在其他测试针接触所述微芯片上与它们对应的接触点之前释放所述微芯片的残留静电电荷。
9.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述至少一个改进的测试针沿着所述测试针阵列的外周边设置。
10.根据权利要求1所述的具有静电放电保护的测试针阵列,其特征在于,所述至少一个改进的测试针接触微芯片的接地测试点或接触与所述微芯片的所述接地测试点连接的任何其他测试点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造