[发明专利]氧化锆烧结体及其烧结用组合物和假烧体有效
| 申请号： | 201180040436.8 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103080045A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤承央;加藤真示 | 申请（专利权）人： | 株式会社则武 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制低温劣化的氧化锆烧结体以及提供一种成为该氧化锆烧结体的前体的烧结用组合物以及假烧体。在氧化锆烧结体的烧成面的X射线衍射图中，在产生来源于立方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度，相对于在产生来源于正方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度的比为0.4以上，在距烧成面的深度为100μm以上的区域的X射线衍射图中，在产生来源于立方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度，相对于在产生来源于正方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度的比为0.3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锆 烧结 及其 组合 假烧体 | ||
【主权项】：
一种氧化锆烧结体，其特征在于，磨削烧成面或露出面，使在X射线衍射图中，在产生来源于立方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度，相对于在产生来源于正方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度的比为0.3以下的面露出后，进行了再烧成的情况下，在再烧成面的X射线衍射图中，在产生来源于立方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度，相对于在产生来源于正方晶的［200]峰的位置附近存在的峰的高度的比为0.4以上。
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