[发明专利]光电子半导体器件和散射体有效
| 申请号： | 201180040423.0 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN103081143A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·维尔特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/44;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个光电子半导体芯片（2）。此外，半导体器件（1）包括至少一个散射体（34），所述散射体包含辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入其中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4）。散射体（34）设置在半导体芯片（2）下游。在温度改变时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异改变。在温度为300K时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 散射 | ||
【主权项】：
光电子半导体器件（1），具有：‑一个或多个光电子半导体芯片（2），以及‑至少一个散射体（34），所述散射体具有辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入到所述基体材料中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4），并且所述散射体设置在至少一个所述半导体芯片（2）下游，其中当温度改变时，所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的折射率差异改变，并且所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时最高为0.15。
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