[发明专利]光电子半导体器件和散射体

权利要求书

1.光电子半导体器件（1），具有：

-一个或多个光电子半导体芯片（2），以及

-至少一个散射体（34），所述散射体具有辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入到所述基体材料中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4），并且所述散射体设置在至少一个所述半导体芯片（2）下游，

其中当温度改变时，所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的折射率差异改变，并且所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时最高为0.15。

2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件（1），

其中所述颗粒材料在温度为300K时具有与所述基体材料相比更小的折射率。

3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料（3）的折射率随着温度升高而降低。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述颗粒材料（3）的折射率随着温度升高而上升。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中，在300K至375K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的所述折射率差异随着温度升高而降低。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中在375K至450K的、其中包括边界值的温度范围内的至少一个温度下，对在工作时在所述半导体芯片（2）中产生的辐射而言，所述散射颗粒（4）的平均散射横截面为在温度为300K时所述散射颗粒（4）的平均散射横截面的最高25%。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述基体材料（3）和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时为最低0.02和/或在温度为400K时为最高0.01。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述基体材料（3）包含或者为下述材料之一或由至少两种下述材料组成的混合物：硅树脂、环氧化物、聚氨酯、丙烯酸酯、聚碳酸酯。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述颗粒材料在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内是透明的以及清晰可见的。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述颗粒材料包含或者为下述材料之一或者由至少两种下述材料组成的混合物：氧化硅、金属氟化物。

11.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述散射颗粒（4）的平均直径在0.15μm和20μm之间，其中包括边界值。

12.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中所述散射颗粒（4）占所述散射体（34）的重量比在10%和50%之间，其中包括边界值。

13.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（1），

其中

-所述基体材料（3）是硅树脂或者硅树脂-环氧化物-混合材料，

-所述颗粒材料是玻璃、BaF₂、LiF或MgF₂，

-所述散射颗粒（4）占所述散射体（34）的重量比在20%和40%之间，其中包括边界值，

-所述散射颗粒（4）的平均直径在0.2μm和5μm之间，其中包括边界值，

-所述散射体（34）是带有最高为500μm的厚度的薄片或聚光透镜，

-所述半导体器件（1）包括至少两个在彼此不同的光谱范围内发射的半导体芯片（2），

-在所述半导体芯片（2）中的至少一个的下游没有设置散射体（34），或者在所述半导体芯片（2）中的至少两个的下游设置有带有不同的依据温度的散射特性的散射体（34），

-从300K的温度开始，直到最低为375K的温度，所述基体材料（3）的折射率趋近于与所述颗粒材料的折射率相同，并且

-所述半导体芯片（2）中的至少一个基于AlInGaN或基于AlInGaP。