[发明专利]用于制造至少一个光电子半导体器件的方法有效
| 申请号: | 201180039774.X | 申请日: | 2011-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN103069563A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 卡尔·魏德纳;汉斯·维尔克施;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;约翰·拉姆琴 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法,所述方法具有下述步骤:a)提供载体(1),所述载体具有上侧(12)、与所述载体(1)的所述上侧(12)相对置的下侧(11)、以及在横向方向(L)上并排设置在所述上侧(12)上的多个连接面(13);b)施加多个光电子器件(2),所述光电子器件分别具有背离于所述载体(1)的至少一个接触面(22);c)将保护元件(41、42)施加到所述接触面(22)和所述连接面(13)上;d)将至少一个电绝缘层(3)施加到所述载体(1)的、所述接触面(22)的以及所述保护元件(4)的暴露的位置上;e)移除所述保护元件(41、42),由此在所述电绝缘层(3)中产生开口(51、52);f)将可导电的材料(8)设置在所述电绝缘层(3)上并且至少局部地设置在所述开口(5)中,其中所述可导电的材料(8)分别将接触面(22)和与所述接触面相关联的连接面(13)导电地连接。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 至少 一个 光电子 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
用于制造至少一个光电子半导体器件(100)的方法,具有下述步骤:a)提供载体(1),所述载体(1)具有上侧(12)、与所述载体(1)的所述上侧(12)相对置的下侧(11)、以及在横向方向(L)上并排设置在所述上侧(12)上的多个连接面(13);b)将在横向方向(L)上彼此间隔开地设置的多个光电子器件(2)施加到所述载体(1)的分别具有背离于所述载体(1)的至少一个接触面(22)的上侧(12)上;c)将保护元件(41、42)施加到所述接触面(22)和所述连接面(13)上;d)将至少一个电绝缘层(3)施加到所述载体(1)的、所述接触面(22)的以及所述保护元件(4)的暴露的位置上;e)移除所述保护元件(41、42),由此在所述电绝缘层(3)中产生开口(51、52);f)将能导电的材料(8)设置在所述电绝缘层(3)上并且至少局部地设置在所述开口(5)中,其中所述能导电的材料(8)分别将接触面(22)和与所述接触面相关联的连接面(13)导电地连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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