[发明专利]用于制造至少一个光电子半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201180039774.X 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN103069563A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 卡尔·魏德纳;汉斯·维尔克施;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔;沃尔特·韦格莱特;约翰·拉姆琴 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/00;H01L33/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明提出一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法,所述方法具有下述步骤:a)提供载体(1),所述载体具有上侧(12)、与所述载体(1)的所述上侧(12)相对置的下侧(11)、以及在横向方向(L)上并排设置在所述上侧(12)上的多个连接面(13);b)施加多个光电子器件(2),所述光电子器件分别具有背离于所述载体(1)的至少一个接触面(22);c)将保护元件(41、42)施加到所述接触面(22)和所述连接面(13)上;d)将至少一个电绝缘层(3)施加到所述载体(1)的、所述接触面(22)的以及所述保护元件(4)的暴露的位置上;e)移除所述保护元件(41、42),由此在所述电绝缘层(3)中产生开口(51、52);f)将可导电的材料(8)设置在所述电绝缘层(3)上并且至少局部地设置在所述开口(5)中,其中所述可导电的材料(8)分别将接触面(22)和与所述接触面相关联的连接面(13)导电地连接。
搜索关键词: 用于 制造 至少 一个 光电子 半导体器件 方法
【主权项】:
用于制造至少一个光电子半导体器件(100)的方法,具有下述步骤:a)提供载体(1),所述载体(1)具有上侧(12)、与所述载体(1)的所述上侧(12)相对置的下侧(11)、以及在横向方向(L)上并排设置在所述上侧(12)上的多个连接面(13);b)将在横向方向(L)上彼此间隔开地设置的多个光电子器件(2)施加到所述载体(1)的分别具有背离于所述载体(1)的至少一个接触面(22)的上侧(12)上;c)将保护元件(41、42)施加到所述接触面(22)和所述连接面(13)上;d)将至少一个电绝缘层(3)施加到所述载体(1)的、所述接触面(22)的以及所述保护元件(4)的暴露的位置上;e)移除所述保护元件(41、42),由此在所述电绝缘层(3)中产生开口(51、52);f)将能导电的材料(8)设置在所述电绝缘层(3)上并且至少局部地设置在所述开口(5)中,其中所述能导电的材料(8)分别将接触面(22)和与所述接触面相关联的连接面(13)导电地连接。
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