[发明专利]用于制造至少一个光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.用于制造至少一个光电子半导体器件（100）的方法，具有下述步骤：

a）提供载体（1），所述载体（1）具有上侧（12）、与所述载体（1）的所述上侧（12）相对置的下侧（11）、以及在横向方向（L）上并排设置在所述上侧（12）上的多个连接面（13）；

b）将在横向方向（L）上彼此间隔开地设置的多个光电子器件（2）施加到所述载体（1）的分别具有背离于所述载体（1）的至少一个接触面（22）的上侧（12）上；

c）将保护元件（41、42）施加到所述接触面（22）和所述连接面（13）上；

d）将至少一个电绝缘层（3）施加到所述载体（1）的、所述接触面（22）的以及所述保护元件（4）的暴露的位置上；

e）移除所述保护元件（41、42），由此在所述电绝缘层（3）中产生开口（51、52）；

f）将能导电的材料（8）设置在所述电绝缘层（3）上并且至少局部地设置在所述开口（5）中，其中所述能导电的材料（8）分别将接触面（22）和与所述接触面相关联的连接面（13）导电地连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电绝缘层（3）是反射辐射的或吸收辐射的。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述电绝缘层（3）是通过浇注来施加的浇注体（33）。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述保护元件（41、42）中的至少一个由下述材料中的至少一种制成或包含下述材料中的至少一种：半导体材料、陶瓷材料、塑料材料。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述保护元件（41、42）中的至少一个借助于下述工艺中的至少一种来施加：喷射、层压、点胶、丝网印刷、喷涂。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述保护元件（41、42）中的至少一个的横向延展部（44）从所述保护元件（41、42）的背离于所述载体（1）的侧起沿朝向所述载体（1）的所述下侧（11）的方向缩小。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在步骤d）之前，将保护元件（43）在所述载体（1）的所述上侧（12）上沿着分割线（S）施加在所述载体（1）上。

8.根据前一项权利要求所述的方法，其中在移除所述保护元件（43）之后，沿着所述分割线（S）将所述载体（1）分割为各个光电子半导体器件（100）。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，其中所述保护元件（41、42）在垂直方向（V）上与所述电绝缘层（3）齐平。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，其中在所述步骤d）之前，将至少一个转换元件（9）施加到光电子器件（2）的辐射穿透面（21）上。

11.根据权利要求1至9之一所述的方法，其中在所述步骤d）之前，将保护层（44）施加到光电子器件（2）的辐射穿透面（21）上，所述保护层至少局部地覆盖所述辐射穿透面（2），其中在所述步骤d）之后将所述保护层（44）移除，由此在所述电绝缘层（3）中产生窗口（31）。

12.根据前一项权利要求所述的方法，其中在所述窗口（31）中设置有至少一个转换元件（9）和/或另一浇注体（32），其中所述另一浇注体（32）包含至少一种荧光转换材料（51）。