[发明专利]半导体装置

摘要

本发明更加稳定地形成电极与半导体层之间的欧姆接合，能够更进一步降低其间的接触电阻。本发明的半导体装置，具备：由含有铟的氧化物半导体材料构成的半导体层（103）；设置在该半导体层（103）上，与该半导体层（103）具有欧姆接合的欧姆电极（107）；和设置在半导体层（103）与欧姆电极（107）之间的中间层（106），该中间层（106）具有第1区域（106a）和第2区域（106b），所述第1区域（106a）与半导体层（103）的内部相比铟的原子浓度较大，所述第2区域（106b）与该第1区域（106a）相比铟的原子浓度较小。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：由含有铟的氧化物半导体材料构成的半导体层；设置在所述半导体层上，与该半导体层具有欧姆接合的欧姆电极；和设置在所述半导体层与所述欧姆电极之间的中间层，所述中间层具有第1区域和第2区域，所述第1区域与半导体层的内部相比铟的原子浓度较大，所述第2区域与该第1区域相比铟的原子浓度较小。