[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

由含有铟的氧化物半导体材料构成的半导体层；

设置在所述半导体层上，与该半导体层具有欧姆接合的欧姆电极；和

设置在所述半导体层与所述欧姆电极之间的中间层，

所述中间层具有第1区域和第2区域，所述第1区域与半导体层的内部相比铟的原子浓度较大，所述第2区域与该第1区域相比铟的原子浓度较小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述第1区域与半导体层接触地配置，所述第2区域与欧姆电极接触地配置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，所述第1区域由含有铟（In）的晶粒构成。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的半导体装置，所述第2区域由非晶构成。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的半导体装置，将所述第1和第2区域合在一起的中间层的层厚为3nm~30nm。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的半导体装置，所述第1和第2区域含有构成欧姆电极的金属的氧化物而构成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，构成所述欧姆电极的金属，是相比于铟，氧化物形成自由能为较小值的金属。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，构成所述欧姆电极的金属包含锰（Mn）、钼（Mo）、钛（Ti）中的至少任一种。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，所述构成欧姆电极的金属包含锰。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，所述锰的电价从第2区域朝向第1区域增加。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，所述锰的原子浓度，在所述第2区域显示最大值，在第1区域变得比第2区域低。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，所述构成欧姆电极的金属包含钛。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，所述钛的电价从第2区域朝向第1区域增加。

14.根据权利要求1~13的任一项所述的半导体装置，所述第1和第2区域的氧浓度比半导体层的氧浓度低。

15.根据权利要求1~14的任一项所述的半导体装置，所述欧姆电极由以铜为主要构成元素的铜合金构成。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，所述第2区域，相比于第1区域含有较多量的铜。