[发明专利]折射率逐渐变化的多层硅无反射膜及其制备方法以及具有该多层硅无反射膜的太阳能电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201180037846.7 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN103069308A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张诚浚;李用卓;宋泳旻 申请(专利权)人: 光州科学技术院
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11;G02B5/22;B32B9/00;H01L31/042
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 韩国光*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及折射率逐渐变化的多层硅无反射膜及其制备方法,以及具有该多层硅无反射膜的太阳能电池及其制备方法,本发明的特征在于,通过将硅倾斜于半导体或玻璃基板上进行蒸镀,来调节硅薄膜的折射率,且通过利用变换倾斜角来层压为多层的多层硅膜,来体现折射率逐渐变化的无反射膜。并且,对硅太阳能电池适用本发明的多层硅无反射膜,因此具有能够抑制太阳能电池的内部的反射,并具有能够提供利用高传热系数的良好的散热特性的效果。
搜索关键词: 折射率 逐渐 变化 多层 反射 及其 制备 方法 以及 具有 太阳能电池
【主权项】:
一种多层硅无反射膜,其特征在于,在基板上依次层压至少两层的硅层,并且上述各个硅层以通过调节倾斜角来使折射率逐渐变化的方式倾斜地蒸镀到上述基板上。
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