[发明专利]折射率逐渐变化的多层硅无反射膜及其制备方法以及具有该多层硅无反射膜的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种多层硅无反射膜，其特征在于，在基板上依次层压至少两层的硅层，并且上述各个硅层以通过调节倾斜角来使折射率逐渐变化的方式倾斜地蒸镀到上述基板上。

2.根据权利要求1所述的多层硅无反射膜，其特征在于，上述基板由玻璃基板或半导体基板形成，上述半导体基板为硅、砷化镓、磷化铟、磷化镓、氮化镓中的某一种。

3.根据权利要求1所述的多层硅无反射膜，其特征在于，上述各个硅层具有逐渐增加或逐渐减少的折射率的分布。

4.根据权利要求1所述的多层硅无反射膜，其特征在于，上述倾斜角为1度至90度。

5.根据权利要求1所述的多层硅无反射膜，其特征在于，上述折射率逐渐变化的结构以阶梯式形成，而上述折射率逐渐变化的分布为线性分布、多维分布、高斯分布或非线性分布中的某一种。

6.一种多层硅无反射膜的制备方法，其特征在于，在基板上依次层压至少两层的硅层，且将上述各个硅层倾斜地蒸镀到上述基板上，并通过调节其倾斜角来使折射率逐渐变化。

7.根据权利要求6所述的多层硅无反射膜的制备方法，其特征在于，上述倾斜地蒸镀的方法利用溅射法或蒸发法。

8.根据权利要求7所述的多层硅无反射膜的制备方法，其特征在于，倾斜地蒸镀上述各个硅层，以具有逐渐增加或逐渐减少的折射率的分布。

9.根据权利要求7所述的多层硅无反射膜的制备方法，其特征在于，上述倾斜角为1度至90度。

10.根据权利要求7所述的多层硅无反射膜的制备方法，其特征在于，上述折射率逐渐变化的结构以阶梯式形成，而上述折射率逐渐变化的分布为线性分布、多维分布、高斯分布或非线性分布中的某一种。

11.一种具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，包括：

第一透明电极，其形成于基板上；

多层硅无反射膜，其倾斜地形成于上述第一透明电极上，使折射率逐渐变化；

太阳能电池层，其层压于上述多层硅无反射膜上；

第二透明电极，其形成于上述太阳能电池层上；以及

n型电极，其形成于上述第二透明电极上。

12.根据权利要求11所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，上述太阳能电池层由无定形硅、晶体硅、微晶硅、多晶硅、铜铟镓硒、铜铟硒、碲化镉中的至少某一种形成。

13.根据权利要求11所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，上述基板由玻璃基板或半导体基板形成，上述半导体基板为硅、砷化镓、磷化铟、磷化镓、氮化镓中的某一种。

14.根据权利要求11所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，上述多层结构由两层至五层形成。

15.根据权利要求11所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，上述多层硅无反射膜具有逐渐增加或逐渐减少的折射率的分布。

16.根据权利要求11所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池，其特征在于，上述折射率逐渐变化的结构以阶梯式形成，而上述折射率逐渐变化的分布为线性分布、多维分布、高斯分布或非线性分布中的某一种。

17.一种具有多层硅无反射膜的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成第一透明电极的步骤；

在上述第一透明电极上，以使折射率逐渐变化的方式倾斜地形成多层硅无反射膜的步骤；

在上述多层硅无反射膜上层压太阳能电池层的步骤；

在上述太阳能电池层上形成第二透明电极的步骤；以及，

在上述第二透明电极上形成n型电极的步骤。

18.根据权利要求17所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池的制备方法，其特征在于，上述太阳能电池层由无定形硅、晶体硅、微晶硅、多晶硅、铜铟镓硒、铜铟硒、碲化镉中的至少某一种形成。

19.根据权利要求17所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池的制备方法，其特征在于，上述多层硅无反射膜形成为具有逐渐增加或逐渐减少的折射率的分布。

20.根据权利要求17所述的具有多层硅无反射膜的太阳能电池的制备方法，其特征在于，上述折射率逐渐变化的结构以阶梯式形成，而上述折射率逐渐变化的分布为线性分布、多维分布、高斯分布或非线性分布中的某一种。