[发明专利]用于控制工艺腔室中的气体流动的设备无效
| 申请号： | 201180036999.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103069560A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 戴维·帕拉加什维里;迈克尔·D·威尔沃思;刘靖宝 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此提供用于在工艺腔室中控制气体流动的设备。在一些实施例中，一种设备用于在工艺腔室中控制气体流动，所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间（pumping volume），所述处理空间配置在基板支撑件上方，所述泵送空间配置在所述基板支撑件下方，所述设备可包括：环状板，所述环状板环绕所述基板支撑件，位于所述基板支撑件的基板支撑表面的水平面（level）附近，其中所述环状板朝所述工艺腔室的内周边表面径向向外延伸，而界定出所述环状板的外边缘与所述内周边表面之间的均匀间隙，其中所述均匀间隙提供从所述处理空间到所述泵送空间的均匀流径。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 工艺 中的 气体 流动 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在工艺腔室中控制气体流动的设备，所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间，所述处理空间配置在基板支撑件上方，所述泵送空间配置在所述基板支撑件下方，所述设备包括：环状板，所述环状板环绕所述基板支撑件，位于所述基板支撑件的基板支撑表面的水平面附近，其中所述环状板朝所述工艺腔室的内周边表面径向向外延伸，而界定出所述环状板的外边缘与所述内周边表面之间的均匀间隙，其中所述均匀间隙提供从所述处理空间到所述泵送空间的均匀流径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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