[发明专利]用于控制工艺腔室中的气体流动的设备无效
申请号: | 201180036999.X | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN103069560A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 戴维·帕拉加什维里;迈克尔·D·威尔沃思;刘靖宝 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 工艺 中的 气体 流动 设备 | ||
1.一种用于在工艺腔室中控制气体流动的设备,所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间,所述处理空间配置在基板支撑件上方,所述泵送空间配置在所述基板支撑件下方,所述设备包括:
环状板,所述环状板环绕所述基板支撑件,位于所述基板支撑件的基板支撑表面的水平面附近,其中所述环状板朝所述工艺腔室的内周边表面径向向外延伸,而界定出所述环状板的外边缘与所述内周边表面之间的均匀间隙,其中所述均匀间隙提供从所述处理空间到所述泵送空间的均匀流径。
2.如权利要求1的设备,其中当气体从所述处理空间流到所述泵送空间时,在所述环状板的所述外边缘与所述工艺腔室的所述内周边表面之间的所述均匀间隙充分地限制从所述处理空间到所述泵送空间的流动,以维持扼流流动条件。
3.如权利要求1至权利要求2任一项的设备,其中所述基板支撑件包含静电夹盘。
4.如权利要求1至权利要求2任一项的设备,其中所述工艺腔室包含泵通口,所述泵通口配置在所述工艺腔室的一侧上,以提供所述工艺腔室内气体的不对称流动。
5.一种用于在工艺腔室中控制气体流动的设备,所述设备包括:
工艺腔室,所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间,所述处理空间配置在基板支撑件上方,所述泵送空间配置在所述基板支撑件下方,其中所述基板支撑件包含静电夹盘;
环状板,所述环状板环绕所述基板支撑件,位于所述基板支撑件的基板支撑表面的水平面附近,其中所述环状板朝所述工艺腔室的壁径向向外延伸,而界定出所述环状板的外边缘与所述工艺腔室的内周边表面之间的均匀间隙,所述均匀间隙在气体从所述处理空间流到所述泵送空间时充分限制了从所述处理空间到所述泵送空间的流动,从而维持扼流流动条件;以及
泵通口,所述泵通口配置在所述工艺腔室的一侧上,以提供所述工艺腔室内气体的不对称流动。
6.如权利要求5的设备,其中所述均匀间隙提供从所述处理空间到所述泵送空间的均匀流径。
7.如权利要求1、权利要求2或权利要求5任一项的设备,其中所述均匀间隙具有约0.09英寸至约1.24英寸的宽度。
8.如权利要求1、权利要求2或权利要求5任一项的设备,其中所述工艺腔室包含衬垫,所述衬垫配置成邻接所述工艺腔室的壁的内表面,且其中所述衬垫界定所述内周边表面的至少一部分,使得所述均匀间隙被所述环状板的所述外边缘与所述衬垫所界定。
9.如权利要求1、权利要求2或权利要求5任一项的设备,其中气体流动通过所述均匀流径的压降多达约40mTorr。
10.如权利要求1、权利要求2或权利要求5任一项的设备,其中所述环状板包含石英(SiO2)、钇(Y)或陶瓷。
11.如权利要求1、权利要求2或权利要求5任一项的设备,其中所述基板支撑件包含举升件,所述举升件被装配成在垂直方向上移动所述基板支撑件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造