[发明专利]减少沉积不对称性的沉积设备和方法有效
申请号: | 201180036763.6 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN103081061A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 艾伦·里奇;迈克尔·S·考克斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一个或多个实施例涉及沉积设备,所述沉积设备包括接地顶壁、处理腔室和等离子体源组件,所述等离子体源组件具有导电中空圆柱及实质连续接地遮护板,所述接地遮护板实质顺应所述中空圆柱的形状。 | ||
搜索关键词: | 减少 沉积 对称性 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种由接地侧壁和接地顶壁围成的沉积设备,所述设备包括:处理腔室,所述处理腔室由所述接地侧壁围成,所述处理腔室具有顶板和底板;等离子体源组件,所述等离子体源组件位于所述处理腔室的所述顶板上,且所述等离子体源组件包括导电中空圆柱和至少一个功率源,所述至少一个功率源连接至所述导电中空圆柱;和实质连续接地遮护板,所述实质连续接地遮护板位于所述导电中空圆柱的外侧,且所述实质连续接地遮护板与所述沉积设备的所述接地侧壁和所述接地顶壁的其中一个或多个接触,所述实质连续接地遮护板的形状与所述导电中空圆柱实质共形,使得在所述导电中空圆柱与所述接地遮护板之间的空间实质上均匀一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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