[发明专利]减少沉积不对称性的沉积设备和方法

权利要求书

1.一种由接地侧壁和接地顶壁围成的沉积设备，所述设备包括：

处理腔室，所述处理腔室由所述接地侧壁围成，所述处理腔室具有顶板和底板；

等离子体源组件，所述等离子体源组件位于所述处理腔室的所述顶板上，且所述等离子体源组件包括导电中空圆柱和至少一个功率源，所述至少一个功率源连接至所述导电中空圆柱；和

实质连续接地遮护板，所述实质连续接地遮护板位于所述导电中空圆柱的外侧，且所述实质连续接地遮护板与所述沉积设备的所述接地侧壁和所述接地顶壁的其中一个或多个接触，所述实质连续接地遮护板的形状与所述导电中空圆柱实质共形，使得在所述导电中空圆柱与所述接地遮护板之间的空间实质上均匀一致。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个功率源通过连接杆连接至所述导电中空圆柱，所述连接杆未穿过所述连续接地遮护板。

3.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述至少一个功率源通过所述接地顶壁内的开口而连接至所述导电中空圆柱，并且所述至少一个功率源离轴地连接至所述导电中空圆柱。

4.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述连续接地遮护板由所述接地侧壁和所述接地顶壁整体成形而成。

5.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述至少一个功率源包括射频功率源和直流功率源，所述射频功率源和所述直流功率源连接至所述导电中空圆柱的相反侧。

6.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中相较于在不具有所述实质连续接地遮护板的类似设备中所产生的电场而言，由射频功率源和直流功率源所产生的电场在溅射靶材各处上具有更均匀一致的分布。

7.一种由接地侧壁和接地底壁围成的沉积设备，所述设备包括：

处理腔室，所述处理腔室由所述接地侧壁和所述接地底壁围成，所述处理腔室具有处理区域且所述处理区域限定为位于导电基座上方的空间，所述导电基座邻接所述接地底壁而设置；和

实质连续接地遮护板，所述实质连续接地遮护板位于所述基座外侧，且所述实质连续接地遮护板与所述沉积设备的所述接地侧壁和所述接地底壁的其中一个或多个接触，所述实质连续接地遮护板的形状与所述导电基座实质共形，使得在所述导电基座与所述接地遮护板之间的空间实质均匀一致。

8.如权利要求7所述的设备，其中至少一个功率源通过连接杆连接至所述导电基座，且所述连接杆未穿过所述连续接地遮护板。

9.如权利要求7至8中任一项所述的设备，其中所述连续接地遮护板由所述接地侧壁和所述接地底壁整体成形而成。

10.如权利要求7至9中任一项所述的设备，其中相较于在不具有所述实质连续接地遮护板的类似设备中所产生的电场而言，由射频功率源所产生的电场在所述基座各处上具有更均匀一致的分布。

11.如权利要求7至10中任一项所述的设备，其中所述基座进一步包括内部电极。

12.如前述权利要求中任一项所述的设备，进一步包括处理气体源，所述处理气体源通过质量流量控制器连接至所述腔室内的气体分配环。

13.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述接地遮护板作为同轴传输线以创造对称电场。

14.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述连续接地遮护板是由选自：非磁性导体、铝、铜、镀镍材料、镀银材料及上述材料的组合所构成之组中的材料所制成。

15.如前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述空间填充介电材料。