[发明专利]发射辐射的器件、具有该器件的装置和制造该器件的方法

摘要

说明一种发射辐射的器件，该器件具有－半导体芯片（2），所述半导体芯片具有第一主面（25）、与所述第一主面（25）相对的第二主面（26）和为了产生辐射所设置的活性区（23）；－载体（5），在所述载体处在第二主面（26）侧固定半导体芯片；－耦合输出层（4），所述耦合输出层布置在半导体芯片（2）的第一主面（25）上并且构成在横向上与半导体芯片（2）相间隔的侧耦合输出面（40），其中在耦合输出层（4）中构造朝向半导体芯片（2）逐渐变细的凹槽（45），所述凹槽使在运行中从第一主面（25）射出的辐射在侧耦合输出面（40）的方向上偏转。此外说明一种用于制造发射辐射的器件的方法。

主权项

发射辐射的器件（1），具有‑半导体芯片（2），所述半导体芯片具有第一主面（25）、与第一主面（25）相对的第二主面（26）和为了产生辐射所设置的活性区（23）；‑载体（5），在载体处在第二主面（26）侧固定半导体芯片（2）；‑耦合输出层（4），所述耦合输出层布置在半导体芯片（2）的第一主面（25）上并且构成在横向上与半导体芯片（2）相间隔的侧耦合输出面（40），其中－在耦合输出层（4）中构造朝向半导体芯片逐渐变细的凹槽（45），所述凹槽使在运行中从第一主面（25）射出的辐射在侧耦合输出面（40）的方向上偏转；－所述凹槽在竖直方向上穿过耦合输出层延伸，其中所述竖直方向垂直于所述活性区的主延伸层面；－在耦合输出层上构造第一接触结构，所述第一接触结构穿过耦合输出层中的凹槽在第一主面侧电接触半导体芯片；－所述半导体芯片在横向上至少局部地由反射层（31）包围，其中所述横向平行于所述活性区的主延伸层面；以及－所述反射层是电绝缘的并且至少局部地直接与半导体芯片邻接。