[发明专利]发射辐射的器件、具有该器件的装置和制造该器件的方法

权利要求书

1.发射辐射的器件（1），具有

-半导体芯片（2），所述半导体芯片具有第一主面（25）、与第一主面（25）相对的第二主面（26）和为了产生辐射所设置的活性区（23）；

-载体（5），在载体处在第二主面（26）侧固定半导体芯片（2）；

-耦合输出层（4），所述耦合输出层布置在半导体芯片（2）的第一主面（25）上并且构成在横向上与半导体芯片（2）相间隔的侧耦合输出面（40），其中在耦合输出层（4）中构造朝向半导体芯片逐渐变细的凹槽（45），所述凹槽使在运行中从第一主面（25）射出的辐射在侧耦合输出面（40）的方向上偏转。

2.根据权利要求1所述的发射辐射的器件，其中半导体芯片在横向上至少局部地由反射层（31）包围。

3.根据权利要求2所述的发射辐射的器件，其中反射层是电绝缘的并且至少局部地直接与半导体芯片邻接。

4.根据权利要求2或3所述的发射辐射的器件，其中在耦合输出层的背离反射层的侧上布置另一反射层（32）。

5.根据权利要求1-4之一所述的发射辐射的器件，其中在耦合输出层上构造第一接触结构（61），所述第一接触结构穿过耦合输出层中的凹槽在第一主面侧电接触半导体芯片。

6.根据权利要求1-5之一所述的发射辐射的器件，其中在所述器件的俯视图中，凹槽被构造为漏斗状的并且被布置在半导体芯片的中心。

7.根据权利要求1-6之一所述的发射辐射的器件，其中在所述器件的俯视图中，侧耦合输出面至少局部地弯曲。

8.具有多个根据权利要求1-7之一所述的器件的器件装置，其中至少一个第一器件（1A）和第二器件（1B）在竖直方向上相叠地布置。

9.根据权利要求8所述的器件装置，其中第一器件和第二器件分别在相应的耦合输出层（4）的背离半导体芯片（2）的侧上具有第一接触结构（61）并且在相应器件的与第一接触结构相对的侧上具有第二接触结构（62），其中第一器件的第一接触结构与第二器件的第二接触结构导电连接。

10.根据权利要求8所述的器件装置，其中第一器件和第二器件分别具有第一接触结构（61）和第二接触结构（62），它们被设置用于从相反的方向将载流子注射到活性区（23）中，其中第一接触结构和第二接触结构在竖直方向上分别穿过载体（5）和穿过耦合输出层（4）延伸。

11.具有多个根据权利要求1至7之一所述的器件的器件装置，其中至少一个第一器件（1A）和第二器件（1B）在横向上并排地布置，其中所述器件装置具有接触轨道（81），所述接触轨道布置在器件的相对侧上并且使所述器件彼此电并联。

12.具有多个根据权利要求1至7之一所述的器件的器件装置，其中所述器件布置在两个板（8）之间，其中所述板中的至少一个对于在所述器件中所产生的辐射是透明的或至少是半透明的。

13.用于制造多个发射辐射的器件（1）的方法，具有步骤：

a）在载体（5）上布置多个半导体芯片（2）；

b）将反射层（31）施加到所述半导体芯片之间的中间空间（55）中；

c）构造具有凹槽（25）的耦合输出层（4），在所述凹槽中分别使半导体芯片暴露并且所述凹槽朝向半导体芯片逐渐变细；并且

d）分离成多个器件，其中将耦合输出层分开并且每个器件具有至少一个半导体芯片和耦合输出层中的凹槽。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述凹槽借助于相干辐射来构造。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中制造根据权利要求1至7之一所述的器件。