[发明专利]电子器件用基板及包含该基板的光电转换器件无效
| 申请号: | 201180034563.7 | 申请日: | 2011-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN103026495A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 向井厚史;青野成彦 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供了一种电子器件用基板,所述基板包括在设置有绝缘层的金属基板上的背电极,并在背电极与金属基板之间具有良好绝缘。该电子器件用基板(1)由设置有绝缘层的金属基板(15)和电极层(20)形成,所述设置有绝缘层的金属基板(15)包括在金属基板(10)表面上的阳极氧化的氧化铝膜(14),并在其至少一侧具有切割端面(15a)、(15b),所述电极层(20)仅设置在距切割端面(15a)、(15b)的距离为200μm以上的内侧区域。 | ||
| 搜索关键词: | 电子器件 用基板 包含 光电 转换 器件 | ||
【主权项】:
一种电子器件用基板,所述基板包括:包含位于金属基板表面上的阳极氧化的氧化铝膜的设置有绝缘层的金属基板,所述设置有绝缘层的金属基板在其至少一侧具有切割端面;和在所述设置有绝缘层的金属基板上仅在距所述切割端面的距离为200μm以上的内侧区域设置的电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





