[发明专利]电子器件用基板及包含该基板的光电转换器件无效
| 申请号： | 201180034563.7 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103026495A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 向井厚史;青野成彦 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 用基板 包含 光电 转换 器件 | ||
1.一种电子器件用基板，所述基板包括：
包含位于金属基板表面上的阳极氧化的氧化铝膜的设置有绝缘层的金属基板，所述设置有绝缘层的金属基板在其至少一侧具有切割端面；和
在所述设置有绝缘层的金属基板上仅在距所述切割端面的距离为200μm以上的内侧区域设置的电极层。
2.如权利要求1所述的电子器件用基板，其中，所述电极层仅设置在距所述切割端面的距离为300μm以上的内侧区域。
3.如权利要求1或2所述的电子器件用基板，其中，所述金属基板由一体化在一起的Al材和金属基材形成，所述金属基材具有比Al更小的线性热膨胀系数、更高的刚性和更高的耐热性。
4.如权利要求3所述的电子器件用基板，其中，所述金属基材为钢材。
5.一种电子器件用基板，所述基板包括：
包含位于金属基板表面上的阳极氧化的氧化铝膜的设置有绝缘层的金属基板，所述设置有绝缘层的金属基板在其至少一侧具有切割端面；和
在所述设置有绝缘层的金属基板上的所述阳极氧化的氧化铝膜上均一地形成的电极层，
其中，所述电极层在距所述设置有绝缘层的金属基板的所述切割端面的距离为200μm以上的预定位置处在电气上分离为端面区域和内侧区域。
6.如权利要求5所述的电子器件用基板，其中，所述预定位置距所述切割端面的距离为300μm以上。
7.如权利要求5或6所述的电子器件用基板，其中，所述金属基板由一体化在一起的Al材和金属基材形成，所述金属基材具有比Al更小的线性热膨胀系数、更高的刚性和更高的耐热性。
8.如权利要求9所述的电子器件用基板，其中，所述金属基材为钢材。
9.一种光电转换器件，所述器件包括：
权利要求1～4中任一项所述的电子器件用基板；和
在所述电子器件用基板的所述电极层上依次形成的光电转换层和透明电极层，
其中，所述电极层、所述光电转换层和所述透明电极层形成光电转换回路。
10.一种光电转换器件，所述器件包括：
权利要求5～8中任一项所述的电子器件用基板；和
在所述电子器件用基板的所述电极层上依次形成的光电转换层和透明电极层，
其中，所述光电转换层和所述透明电极层与所述电极层一起在所述预定位置处分离为端面区域和内侧区域，并且在所述内侧区域形成的所述电极层、所述光电转换层和所述透明层形成光电转换回路。
11.如权利要求9或10所述的光电转换器件，其中，所述光电转换层由化合物半导体形成，并且
所述光电转换器件还包含位于所述光电转换层与所述透明电极层之间的缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
