[发明专利]用于太阳能电池的金属触点方案无效

专利信息
申请号: 201180033136.7 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN103038870A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 艾莉森·琼·列农;吕珮玄;陈洋 申请(专利权)人: 新南创新私人有限公司
主分类号: H01L21/44 分类号: H01L21/44;H01L21/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 王铁军
地址: 澳大利亚*** 国省代码: 澳大利亚;AU
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摘要: 提供一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法。在第一步骤中,在半导体表面上形成第一金属层。之后将第一金属层阳极氧化以产生形成在半导体表面上的多孔金属氧化物层。多孔金属氧化物层中的孔将从而在多孔金属氧化物层中形成开口阵列。之后将触点金属层形成在多孔金属氧化物层上以使得触点金属层的一部分延伸至开口阵列的开口中。触点金属层经由多孔金属氧化物层中的开口阵列电接触半导体表面。电介质层可以任选地形成在半导体表面上并且多孔金属氧化物层形成在电介质层上,并且触点金属之后经由电介质层接触半导体表面。
搜索关键词: 用于 太阳能电池 金属 触点 方案
【主权项】:
一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法,所述方法包括:i)在所述半导体表面上方形成第一金属层;ii)阳极氧化所述第一金属层以产生在所述半导体表面上方形成的多孔金属氧化物层,从而所述多孔金属氧化物层中的孔形成在所述多孔金属氧化物层中的开口阵列;iii)在所述多孔金属氧化物层上方形成触点金属层,并且所述触点金属层的一部分延伸到所述开口阵列的开口中以使得所述触点金属层经由所述多孔金属氧化物层中的所述开口阵列电接触所述半导体表面。
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