[发明专利]用于太阳能电池的金属触点方案无效
申请号: | 201180033136.7 | 申请日: | 2011-05-17 |
公开(公告)号: | CN103038870A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 艾莉森·琼·列农;吕珮玄;陈洋 | 申请(专利权)人: | 新南创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44;H01L21/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 王铁军 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | 提供一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法。在第一步骤中,在半导体表面上形成第一金属层。之后将第一金属层阳极氧化以产生形成在半导体表面上的多孔金属氧化物层。多孔金属氧化物层中的孔将从而在多孔金属氧化物层中形成开口阵列。之后将触点金属层形成在多孔金属氧化物层上以使得触点金属层的一部分延伸至开口阵列的开口中。触点金属层经由多孔金属氧化物层中的开口阵列电接触半导体表面。电介质层可以任选地形成在半导体表面上并且多孔金属氧化物层形成在电介质层上,并且触点金属之后经由电介质层接触半导体表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 金属 触点 方案 | ||
【主权项】:
一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法,所述方法包括:i)在所述半导体表面上方形成第一金属层;ii)阳极氧化所述第一金属层以产生在所述半导体表面上方形成的多孔金属氧化物层,从而所述多孔金属氧化物层中的孔形成在所述多孔金属氧化物层中的开口阵列;iii)在所述多孔金属氧化物层上方形成触点金属层,并且所述触点金属层的一部分延伸到所述开口阵列的开口中以使得所述触点金属层经由所述多孔金属氧化物层中的所述开口阵列电接触所述半导体表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造