[发明专利]用于太阳能电池的金属触点方案

权利要求书

1.一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法，所述方法包括：

i)在所述半导体表面上方形成第一金属层；

ii)阳极氧化所述第一金属层以产生在所述半导体表面上方形成的多孔金属氧化物层，从而所述多孔金属氧化物层中的孔形成在所述多孔金属氧化物层中的开口阵列；

iii)在所述多孔金属氧化物层上方形成触点金属层，并且所述触点金属层的一部分延伸到所述开口阵列的开口中以使得所述触点金属层经由所述多孔金属氧化物层中的所述开口阵列电接触所述半导体表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述半导体表面上形成所述第一金属层以使得在所述阳极氧化步骤之后，所述多孔金属氧化物层接触所述半导体表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述半导体表面上方形成电介质层，并且在所述电介质层上方形成所述多孔金属氧化物层。

4.一种对半导体器件的半导体表面形成点金属电触点的方法，所述方法包括：

i)在所述半导体表面上形成电介质层：

ii)在所述电介质层上方形成第一金属层；

iii)阳极氧化所述第一金属层以产生在所述电介质层上方形成的多孔金属氧化物层，从而所述多孔金属氧化物层中的孔形成在所述多孔金属氧化物层中的开口阵列；

iv)在所述多孔金属氧化物层上方形成触点金属层；以及

v)加热所述触点金属层以驱使所述触点金属层的一部分穿过所述电介质层，以经由所述多孔金属氧化物层中的所述开口阵列和所述电介质层电接触所述半导体表面。

5.权利要求3或4所述的方法，其中所述电介质层包含SiO2、SiNx、SiONx、SiC、Al₂O₃或它们的两种以上的组合。

6.权利要求3、4或5所述的方法，其中所述电介质层的厚度在10-85nm的范围内。

7.权利要求3、4、5或6所述的方法，其中所述电介质层的厚度在10-20nm、或20-20nm、或30-40nm、或40-50nm、或50-60nm、或60-70nm、或70-80nm、或80-85nm的范围内。

8.如权利要求3至7中的任一项所述的方法，其中所述电介质层通过PECVD并随后通过形成气体退火而形成。

9.如权利要求3至8中的任一项所述的方法，其中所述半导体表面是带纹路的。

10.权利要求9所述的方法，其中所述半导体表面的所述纹路达到1-8μm、或2-5μm、或1-2μm、或2-3μm、或3-4μm、或4-5μm、或5-6μm、或6-7μm、或7-8μm的深度。

11.权利要求9或10所述的方法，其中控制所述金属触点层的加热以将所述触点金属层与所述半导体表面的接触限制为仅仅经由位于或邻近所述半导体表面的所述纹路的峰或脊的那些孔。

12.如权利要求1至11中的任一项所述的方法，其中所述第一金属层是包含铝的层。

13.如权利要求1至12中的任一项所述的方法，其中将所述金属层在阳极氧化以形成所述多孔金属氧化物层之前烧结。

14.如权利要求1至13中的任一项所述的方法，其中在所述触点金属层的形成之前，蚀刻所述多孔金属氧化物层以扩大形成穿过所述多孔金属氧化物层的所述开口阵列的所述孔。

15.如权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中在所述触点金属层的施加之前将所述多孔金属氧化物层进一步蚀刻，以确保在穿过所述多孔金属氧化物层的所述开口阵列的所述开口的底部将任意阻挡层氧化物从所述半导体表面移除。

16.如权利要求1至15中的任一项所述的方法，其中将所述第一金属层预处理以使得由所述阳极氧化步骤产生的所述孔在所选位置优先形成。

17.权利要求16所述的方法，其中所述预处理包括在每一个所需的位置产生缺陷、压痕或弱点的流体的逐点沉积。

18.权利要求17所述的方法，其中使用喷墨或气溶胶喷注打印机沉积所述流体。

19.权利要求18所述的方法，其中沉积蚀刻剂以在所述第一金属层中在所需的孔的位置形成凹陷。