[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201180032232.X | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102959720A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 西村和仁;奈须野善之;中野孝纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具有：衬底（1）；设置在所述衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），所述pin型光电转换层（11、12）包括：p型半导体层（3）；非晶半导体层即i型半导体层（4）；与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），所述第一pin型光电转换层（11）具有：位于所述衬底（1）的一部分的表面上的第一部分；位于所述衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，所述第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比所述第二部分的所述杂质元素的浓度高，所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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