[发明专利]纳米线发光二极管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201180030090.3 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103098237A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 楚尔斯·罗葛兰 | 申请（专利权）人： | GLO公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种纳米线发光二极管LED结构，其包括并排布置于支撑层上的多个装置。每一装置包括第一导电型半导体纳米线核心及进行包封的第二导电型半导体外壳以用于形成pn或pin结，所述pn或pin结在操作中提供用于光产生的作用区。第一电极层在所述多个装置上方延伸且与所述装置的至少一个顶部部分电接触以连接到所述外壳。所述第一电极层至少部分地空气桥接于所述装置之间。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管LED结构，其包含：多个装置，所述多个装置并排布置于支撑层上，其中每一装置包含第一导电型半导体纳米线核心及进行包封的第二导电型半导体外壳以用于形成pn或pin结，所述pn或pin结在操作中提供用于光产生的作用区，及第一电极层，其在所述多个装置上方延伸且与所述装置的至少一个顶部部分电接触以连接到所述外壳，其中所述第一电极层至少部分地空中桥接于所述装置之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于GLO公司，未经GLO公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180030090.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：风能设备的构件的装置
- 下一篇：太阳能电池及其制造方法
