[发明专利]纳米线发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管LED结构，其包含：

多个装置，所述多个装置并排布置于支撑层上，其中每一装置包含第一导电型半导体纳米线核心及进行包封的第二导电型半导体外壳以用于形成pn或pin结，所述pn或pin结在操作中提供用于光产生的作用区，及

第一电极层，其在所述多个装置上方延伸且与所述装置的至少一个顶部部分电接触以连接到所述外壳，其中所述第一电极层至少部分地空中桥接于所述装置之间。

2.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述第一导电型包含n型，所述第二导电型包含p型，且所述第一电极层包含p电极层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管LED结构，其进一步包含第二n电极层，所述第二n电极层电连接到所述n型纳米线核心。

4.根据权利要求3所述的发光二极管LED结构，其中所述支撑层包含在衬底上的n型半导体缓冲层，所述缓冲层用作n触点，且所述n电极层接触所述缓冲层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述支撑层为反射性的。

6.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述支撑层为透明的。

7.根据权利要求2所述的发光二极管LED阵列，其中所述空中桥接p电极层的厚度为150nm到900nm。

8.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述p电极为至少部分反射性的。

9.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述p电极为透明的。

10.根据权利要求9所述的发光二极管LED结构，其中至少一个其它透明层布置于所述p电极上。

11.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述LED以倒装芯片的形式结合到载体上的接触电极上。

12.根据权利要求4所述的发光二极管LED结构，其进一步包含提供于所述纳米线核心下方的镜。

13.根据权利要求12所述的发光二极管LED结构，其中所述镜提供于形成于所述衬底中的凹部中，所述凹部延伸到所述缓冲层。

14.根据权利要求13所述的发光二极管LED结构，其进一步包含位于多个凹部中的多个镜。

15.根据权利要求13所述的发光二极管LED结构，其中所述镜包含部分地填充所述凹部的反射性材料，且其中所述凹部的剩余部分是用提供结构刚性及高热导率的填充剂材料来填充。

16.根据权利要求12所述的发光二极管LED结构，其中所述镜经胶合到所述缓冲层及所述衬底中的一者，且物理上结合到所述缓冲层及所述衬底中的另一者。

17.根据权利要求5所述的发光二极管LED结构，其中所述支撑层包含镜，且其中所述镜经提供以代替经移除的n型半导体缓冲层及经完全移除的衬底。

18.根据权利要求2所述的发光二极管LED结构，其中每一装置包含含有所述核心、所述外壳及在所述核心与所述外壳之间的作用层的纳米结构。

19.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述纳米结构包含核心-外壳纳米线。

20.根据权利要求1所述的发光二极管LED结构，其中所述支撑层包含半导体衬底。

21.根据权利要求3所述的发光二极管LED结构，其中：

所述n电极层包含在所述缓冲层的第一部分上的n衬垫区域；

所述p电极层包含在LED作用区域中的所述纳米线上或在邻近于所述LED作用区域中的所述纳米线的在所述缓冲层上的电介质掩蔽层上的p衬垫区域；且

所述n衬垫区域及所述p衬垫区域是由包含不接触所述p电极的虚设纳米线的非作用区域分离。