[发明专利]信息光学储存可逆记录介质、在该介质上的可逆记录方法

摘要

本发明涉及记录介质的技术领域。更具体地说，本发明涉及一种在介质材料内部光学储存至少一个信息的可逆记录介质，该记录介质包括至少一个介质材料层，包括：基本分子(M)，能够在一个局部区域(9)中具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC₁)；具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC₁)的分子(M，M′)，当受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)第一集合状态(EC₂)的第一二次谐波信号(SH-₂)；具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC₁)的基本分子(M)，当受到写入电磁辐射激励时，至少部分地能够转换为转换分子(M′)，以便转换为分子(M，M′)的第二集合状态(EC₂)，具有分子(M，M′)的第二集合状态(EC₂)分子(M，M′)，当它们受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)第二集合状态(EC₂)的第二二次谐波信号(SH₂)。具体而言，本发明与相应先有技术的差别在于，这些分子(M)具有基于以下式(I)类型的香豆素骨架的分子结构，式中R₁对应于香豆素骨架与聚合物基质的连接位置。

主权项

1.在介质材料内部借助于光学储存至少一个信息的可逆记录介质，该记录介质包括至少一个介质材料层，包括：■能够在一个局部区域(9)中具有分子(M，M′)第一集合状态(EC₁)的基本分子(M)；○具有分子(M，M′)第一集合状态(EC₁)的分子(M，M′)，当受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)之第一集合状态(EC₁)的第一二次谐波信号(SH₁)；○具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC₁)的基本分子(M)，当受到写入电磁辐射激励时，能够至少部分地转换为转换分子(M′)，以便转换为分子(M，M′)的第二集合状态(EC₂)，○具有分子(M，M′)第二集合状态(EC₂)的分子(M，M′)，当受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)之第二集合状态(EC₂)的第二二次谐波信号(SH₂)；其特征在于，该基本分子(M)具有基于以下类型的香豆素骨架的分子结构：■其中R₁对应于香豆素骨架与聚合物基质的连接位置。