[发明专利]信息光学储存可逆记录介质、在该介质上的可逆记录方法有效

专利信息
申请号: 201180028438.5 申请日: 2011-04-05
公开(公告)号: CN103069490A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: D·然德尔;M·萨勒;O·克鲁普卡;K·伊利奥普洛斯 申请(专利权)人: 国立科学研究中心;国立昂热大学
主分类号: G11B7/245 分类号: G11B7/245;G11B7/25;G11B7/246;B82Y10/00;G11B7/006
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 信息 光学 储存 可逆 记录 介质 方法
【权利要求书】:

1.在介质材料内部借助于光学储存至少一个信息的可逆记录介质,该记录介质包括至少一个介质材料层,包括:

■能够在一个局部区域(9)中具有分子(M,M′)第一集合状态(EC1)的基本分子(M);

○具有分子(M,M′)第一集合状态(EC1)的分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,能够产生表征分子(M,M′)之第一集合状态(EC1)的第一二次谐波信号(SH1);

○具有分子(M,M′)的第一集合状态(EC1)的基本分子(M),当受到写入电磁辐射激励时,能够至少部分地转换为转换分子(M′),以便转换为分子(M,M′)的第二集合状态(EC2),

○具有分子(M,M′)第二集合状态(EC2)的分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,能够产生表征分子(M,M′)之第二集合状态(EC2)的第二二次谐波信号(SH2);

其特征在于,该基本分子(M)具有基于以下类型的香豆素骨架的分子结构:

■其中R1对应于香豆素骨架与聚合物基质的连接位置。

2.按照权利要求1的记录介质,其中该基本分子(M)具有基于以下类型的香豆素骨架的分子结构:

其中R2对应于一个取代基。

3.按照权利要求2的记录介质,其中该取代基R2是甲基基团。

4.按照权利要求2的记录介质,其中该取代基R2是氢原子。

5.按照权利要求1至4中任何一项的记录介质,其中该聚合物基质是采取下列形式的异丁烯酸酯衍生物:

式中:k、n和m是正数。

6.按照权利要求5的记录介质,其中:

■R是甲基(CH3)或丁基(n-C4H9);

■k等于0.2或6;以及

■n/m具有1/1至1/5之间的数值。

7.按照权利要求1至6中任何一项的记录介质,其中基本分子(M)能够通过光诱导二聚反应转换为转换分子(M′)。

8.按照权利要求1至7中任何一项的记录介质,其中:

■该基本分子(M)能够在一个局部区域(9)中具有分子(M,M′)的n个集合状态(M,M′)中间的一个分子集合状态(M,M′),其中n是一个大于或等于2的整数;

■分子(M,M′)的第n-1个集合状态中的每一个分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,都能够产生表征该分子集合状态(MM′)的第n-1个二次谐波信号(SHn-1)。

9.按照权利要求8的记录介质,其中分子(M,M′)的n个集合状态中的每一个的特征在于基本分子(M)和转换分子(M′)的特征比例。

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