[发明专利]信息光学储存可逆记录介质、在该介质上的可逆记录方法有效
| 申请号: | 201180028438.5 | 申请日: | 2011-04-05 |
| 公开(公告)号: | CN103069490A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | D·然德尔;M·萨勒;O·克鲁普卡;K·伊利奥普洛斯 | 申请(专利权)人: | 国立科学研究中心;国立昂热大学 |
| 主分类号: | G11B7/245 | 分类号: | G11B7/245;G11B7/25;G11B7/246;B82Y10/00;G11B7/006 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 信息 光学 储存 可逆 记录 介质 方法 | ||
1.在介质材料内部借助于光学储存至少一个信息的可逆记录介质,该记录介质包括至少一个介质材料层,包括:
■能够在一个局部区域(9)中具有分子(M,M′)第一集合状态(EC1)的基本分子(M);
○具有分子(M,M′)第一集合状态(EC1)的分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,能够产生表征分子(M,M′)之第一集合状态(EC1)的第一二次谐波信号(SH1);
○具有分子(M,M′)的第一集合状态(EC1)的基本分子(M),当受到写入电磁辐射激励时,能够至少部分地转换为转换分子(M′),以便转换为分子(M,M′)的第二集合状态(EC2),
○具有分子(M,M′)第二集合状态(EC2)的分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,能够产生表征分子(M,M′)之第二集合状态(EC2)的第二二次谐波信号(SH2);
其特征在于,该基本分子(M)具有基于以下类型的香豆素骨架的分子结构:
■其中R1对应于香豆素骨架与聚合物基质的连接位置。
2.按照权利要求1的记录介质,其中该基本分子(M)具有基于以下类型的香豆素骨架的分子结构:
其中R2对应于一个取代基。
3.按照权利要求2的记录介质,其中该取代基R2是甲基基团。
4.按照权利要求2的记录介质,其中该取代基R2是氢原子。
5.按照权利要求1至4中任何一项的记录介质,其中该聚合物基质是采取下列形式的异丁烯酸酯衍生物:
式中:k、n和m是正数。
6.按照权利要求5的记录介质,其中:
■R是甲基(CH3)或丁基(n-C4H9);
■k等于0.2或6;以及
■n/m具有1/1至1/5之间的数值。
7.按照权利要求1至6中任何一项的记录介质,其中基本分子(M)能够通过光诱导二聚反应转换为转换分子(M′)。
8.按照权利要求1至7中任何一项的记录介质,其中:
■该基本分子(M)能够在一个局部区域(9)中具有分子(M,M′)的n个集合状态(M,M′)中间的一个分子集合状态(M,M′),其中n是一个大于或等于2的整数;
■分子(M,M′)的第n-1个集合状态中的每一个分子(M,M′),当受到读出电磁辐射(10)激励时,都能够产生表征该分子集合状态(MM′)的第n-1个二次谐波信号(SHn-1)。
9.按照权利要求8的记录介质,其中分子(M,M′)的n个集合状态中的每一个的特征在于基本分子(M)和转换分子(M′)的特征比例。
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