[发明专利]用于生长半导体装置的复合生长衬底有效
| 申请号： | 201180024753.0 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102893373A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | A·Y·金 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘鹏;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的实施例的一种方法包含提供包括施主层及应变层的外延结构。该外延结构经处理以致使该应变层松弛。该应变层的松弛致使该施主层的面内晶格常数改变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 半导体 装置 复合 衬底 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：提供外延结构，所述外延结构包括： 施主层，其中所述施主层是其上可生长半导体结构的材料；以及 应变层；处理所述外延结构以致使所述应变层松弛，其中所述应变层的松弛致使所述施主层的面内晶格常数改变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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