[发明专利]用于生长半导体装置的复合生长衬底

权利要求书

1.一种方法，其包括：

提供外延结构，所述外延结构包括：

     施主层，其中所述施主层是其上可生长半导体结构的材料；以及

     应变层；

处理所述外延结构以致使所述应变层松弛，其中所述应变层的松弛致使所述施主层的面内晶格常数改变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延结构进一步包括设置在所述施主层与所述应变层之间的松弛层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延结构进一步包括设置在所述施主层与所述应变层之间的第二松弛层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述外延结构进一步包括设置在所述施主层与所述应变层之间的帽盖层，其中所述帽盖层经配置以降低或防止自所述施主层的解吸。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述松弛层包括铝。

6.根据权利要求1所述的方法，其中提供的步骤包括将所述外延结构生长在第一衬底上，所述方法进一步包括：

将所述外延结构连接至第二衬底；以及

移除所述第一衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述外延结构通过接合层连接至所述第二衬底；以及

处理的步骤包括加热所述接合层。

8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：

将所述施主层连接至第三衬底；以及

移除所述应变层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中

所述外延结构进一步包括设置在所述施主层与所述应变层之间的低带隙层，其中所述低带隙层具有低于所述施主层及所述应变层的带隙的带隙；以及

移除所述应变层包括使用激光熔融所述低带隙层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述应变层中的应变是至少如所述施主层中的应变一样大。

11.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述施主层是InGaN或GaN；

所述应变层是AlGaN或GaN；并且

所述外延结构进一步包括设置在所述施主层与所述应变层之间的松弛层，其中所述松弛层包括铝。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在处理之后，所述施主层具有至少3.2?的面内晶格常数。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述处理之后，在所述施主层上生长结构，所述结构包括设置在n型区域与p型区域之间的发光层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中：

在处理的步骤之前，所述施主层是处于压缩中；以及

处理的步骤包括致使所述施主层的所述面内晶格常数增大使得所述施主层在处理之后是至少部分松弛的。

15.根据权利要求1所述的方法，其中：

在处理的步骤之前，所述施主层是经松弛的，并且

处理的步骤包括致使所述施主层的所述面内晶格常数增大，以使所述施主层在处理之后是处于拉伸中。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在处理的步骤之前，所述应变层是处于压缩中。

17.根据权利要求1所述的方法，其中在处理的步骤之前，所述应变层中的应变是至少0.1%。

18.一种结构，其包括：

衬底；以及

外延结构，所述外延结构是通过接合层而附接至所述衬底，所述外延结构包括：

     施主层，其中所述施主层是其上可生长半导体结构的材料；

     应变层；以及

     松弛层，所述松弛层是设置在所述施主层与所述应变层之间。

19.根据权利要求18所述的结构，其中所述接合层是硼磷硅酸盐玻璃。

20.根据权利要求18所述的结构，其中：

所述施主层是InGaN或GaN；

所述应变层是AlGaN或GaN；并且

所述松弛层包括铝。