[发明专利]四配位钯络合物的合成及其在光发射设备中的应用有效
申请号: | 201180023966.1 | 申请日: | 2011-05-02 |
公开(公告)号: | CN102971396A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 健·李;埃里克·特纳 | 申请(专利权)人: | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C07F15/00;C07D213/63 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李冬梅;郑霞 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了能够吸收和/或发射光的钯络合物,以及制备和使用所述钯络合物的方法。 | ||
搜索关键词: | 四配位钯 络合物 合成 及其 发射 设备 中的 应用 | ||
【主权项】:
1.一种化合物,所述化合物由下式表示:
其中(R1)2和(R2)2中的每个R1和R2独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基;R3表示甲基、乙基、丙基或丁基;Y1a表示O、S、NR4a,其中R4a表示经任选取代的C1-C4烷基;Si(R4b)2,其中(R4b)2中的每个R4b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基;或C(R4c)2,其中(R4c)2中的每个R4c表示氢或经任选取代的C1-C4烷基;n为整数0或1;Y1b,存在时,表示O、S、NR5a,其中R5a表示经任选取代的C1-C4烷基;Si(R5b)2,其中(R5b)2中的每个R5b独立地表示经任选取代的C1-C4烷基;或C(R5c)2,其中(R5c)2中的每个R5c表示氢或经任选取代的C1-C4烷基;Y2a、Y2b、Y2c和Y2d各自独立地表示N、NR6a或CR6b,其中R6a和R6b各自独立地表示氢、经任选取代的C1-C4烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基;Y3a、Y3b、Y3c、Y3d、Y3e、Y4a、Y4b、Y4c和Y4d各自独立地表示N、O、S、NR6a、CR6b,其中R6a和R6b各自独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基;或Z(R6c)2,其中Z为C或Si,并且其中(R6c)2中的每个R6c独立地表示氢或经任选取代的C1-C4烷基;其中m为整数1或2;其中开口虚线圆
指与之缔合的环部分或完全不饱和;条件是如果m为1,Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2c各自为N,则Y4a、Y4b、Y3a或Y3d中的至少一个不为N;并且条件是如果n为0,m为2,Y2a和Y2d各自为CH并且Y2b和Y2c各自为N,则Y3b或Y3c中的至少一个不为N。
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