[发明专利]四配位钯络合物的合成及其在光发射设备中的应用

说明书

发明背景

技术领域

本公开涉及能够吸收和/或发射光并且因此在设备中用作放射性或吸收材料的钯络合物。

技术背景

能够吸收和/或发射光的化合物非常适合用于许多光学和电光设备中，包括光吸收设备(例如太阳能和光敏设备)、光发射设备(例如有机光发射二极管(OLED))或能够吸收和发射光的设备。许多研究已经致力于发现并优化用于光学和电光设备中的有机和有机金属材料。通常，该领域中的研究旨在实现许多目标，包括提高吸收和发射效率，以及提高加工能力等。

尽管在致力于光学和电光材料的研究中有重大进展，但是包括有机或有机金属材料的许多当前设备尚待优化。当前用于光学和电光设备中的许多材料有很多缺点，包括加工能力差、发射或吸收无效和稳定性不够理想等。因此，需要在光学和电光设备中表现出改进性能的新材料。本发明的组合物和方法满足了这种需要和其它需要。

发明概述

本发明涉及显示出光吸收和光发射的钯络合物，制备此类化合物的方法及其应用，包括包含所述化合物的光学设备。

在一个实施方案中，所述化合物由下式表示：

其中(R¹)₂和(R²)₂中的每个R¹和R²独立地表示氢、经任选取代的C₁-C₄烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基；

R³表示甲基、乙基、丙基或丁基；

Y^1a表示O、S、NR^4a，其中R^4a表示经任选取代的C₁-C₄烷基；Si(R^4b)₂，其中(R^4b)₂中的每个R^4b独立地表示经任选取代的C₁-C₄烷基；或C(R^4c)₂，其中(R^4c)₂中的每个R^4c表示氢或经任选取代的C₁-C₄烷基；

n为整数0或1；

Y^1b，存在时，表示O、S、NR^5a，其中R^5a表示经任选取代的C₁-C₄烷基；Si(R^5b)₂，其中(R^5b)₂中的每个R^5b独立地表示经任选取代的C₁-C₄烷基；或C(R^5c)₂，其中(R^5c)₂中的每个R^5c表示氢或经任选取代的C₁-C₄烷基；

Y^2a、Y^2b、Y^2c和Y^2d各自独立地表示N、NR^6a或CR^6b，其中R^6a和R^6b各自独立地表示氢、经任选取代的C₁-C₄烷基、卤素、羟基、氨基、硝基或硫醇基；