[发明专利]生长于波长转换衬底上的发光器件无效
| 申请号： | 201180022799.9 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102870238A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | N.F.加德纳;A.J.F.达维达;O.B.施彻金 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的一些实施例中，器件包括衬底和半导体结构。衬底包括：波长转换元件（30），波长转换元件（30）包括设置于透明材料中的波长转换材料；包括III-氮化物材料将在其上成核的材料的种子层（34）；以及设置于波长转换元件和种子层之间的接合层（32）。半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层并生长于种子层上。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 波长 转换 衬底 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底，包括： 包括设置于透明材料中的波长转换材料的波长转换元件； 种子层，包括III‑氮化物材料将在其上成核的材料；以及 设置于所述波长转换元件和所述种子层之间的接合层；以及在所述种子层上生长的半导体结构，所述半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III‑氮化物发光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180022799.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
