[发明专利]生长于波长转换衬底上的发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底，包括：

       包括设置于透明材料中的波长转换材料的波长转换元件；

       种子层，包括III-氮化物材料将在其上成核的材料；以及

       设置于所述波长转换元件和所述种子层之间的接合层；以及

在所述种子层上生长的半导体结构，所述半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中在将所述波长转换元件暴露于大于800℃的温度下至少两个小时时，所述波长转换元件的发光性质减弱小于20%。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换材料是磷光体，所述透明材料是玻璃、石英和SiO₂之一。

4.根据权利要求1所述的器件，其中：

所述波长转换材料设置于所述透明材料的第一部分中；并且

所述透明材料的第二部分没有波长转换材料。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换元件包括设置于透明材料中、接合到陶瓷磷光体的波长转换材料。

6.一种器件，包括：

衬底，包括：

       波长转换元件；

       种子层，包括III-氮化物材料将在其上成核的材料；以及

       设置于所述波长转换元件和所述种子层之间的二向色滤光片；以及

在所述种子层上生长的半导体结构，所述半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述二向色滤光片被配置成反射由所述波长转换元件发射的波长的光。

8.根据权利要求6所述的器件，其中所述波长转换元件包括陶瓷磷光体。

9.根据权利要求6所述的器件，其中所述波长转换元件包括设置于透明材料中的波长转换材料。

10.根据权利要求6所述的器件，还包括设置于所述二向色滤光片和所述种子层之间的接合层。

11.一种器件，包括：

衬底，包括：

       波长转换元件；

       种子层，包括III-氮化物材料将在其上成核的材料；以及

       设置于所述波长转换元件和所述种子层之间的接合层；

在所述种子层上生长的半导体结构，所述半导体结构包括设置于n型区域和p型区域之间的III-氮化物发光层；以及

散射结构，其被配置成散射由III-氮化物发光层和波长转换元件中的至少一个发射的光。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述散射结构包括具有粗糙表面的III-氮化物层。

13.根据权利要求12所述的器件，还包括设置于所述粗糙表面和金属接触之间的透明导电层。

14.根据权利要求12所述的器件，还包括：

设置于所述粗糙表面和金属接触之间的透明绝缘层，其中所述透明绝缘层具有平坦顶表面；以及

形成于所述透明绝缘层中的至少一个开口，其中导电材料设置于所述开口中。

15.根据权利要求11所述的器件，其中所述散射结构包括折射率的周期性变化，其中所述变化在平行于所述发光层主表面的方向上。

16.根据权利要求15所述的器件，其中所述折射率的周期性变化设置于所述n型区域之内。

17.根据权利要求15所述的器件，其中所述折射率的周期性变化设置于所述n型区域和所述种子层之间。

18.根据权利要求11所述的器件，其中所述波长转换元件包括能够发射红光的磷光体。

19.根据权利要求18所述的器件，其中：

所述波长转换元件是第一波长转换元件，所述器件还包括第二波长转换元件，所述第二波长转换元件包括能够发射绿光或黄光的磷光体；并且

所述第一波长转换元件设置于所述半导体结构和所述第二波长转换元件之间。