[发明专利]用于刷新半导体存储器装置的技术有效
| 申请号： | 201180022749.0 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102884582A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·卡曼 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/401 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于刷新半导体存储器装置的技术。在一个特定示范性实施例中，可将所述技术实现为一种用于刷新半导体存储器装置的方法，所述方法可包含将多个电压电位施加到存储器单元阵列中的存储器单元。将多个电压电位施加到所述存储器单元可包含经由所述阵列的相应源极线将第一电压电位施加到所述存储器单元的第一区。将多个电压电位施加到所述存储器单元还可包含经由所述阵列的相应局部位线及相应选择晶体管将第二电压电位施加到所述存储器单元的第二区。将多个电压电位施加到所述存储器单元可进一步包含将第三电压电位施加到所述阵列的相应字线，其中所述字线可与所述存储器单元的主体区间隔开且电容性地耦合到所述主体区，所述主体区可为电浮动的且安置于所述第一区与所述第二区之间。将多个电压电位施加到所述存储器单元可进一步包含经由所述阵列的相应载流子注入线将第四电压电位施加到所述存储器单元的第三区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刷新 半导体 存储器 装置 技术 | ||
【主权项】：
一种用于刷新半导体存储器装置的方法，其包括以下步骤：将多个电压电位施加到存储器单元阵列中的存储器单元，其中将多个电压电位施加到所述存储器单元包括：经由所述阵列的相应源极线将第一电压电位施加到所述存储器单元的第一区；经由所述阵列的相应局部位线及相应选择晶体管将第二电压电位施加到所述存储器单元的第二区；将第三电压电位施加到所述阵列的相应字线，其中所述字线与所述存储器单元的主体区间隔开且电容性地耦合到所述主体区，所述主体区为电浮动的且安置于所述第一区与所述第二区之间；及经由所述阵列的相应载流子注入线将第四电压电位施加到所述存储器单元的第三区。
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