[发明专利]用于刷新半导体存储器装置的技术

权利要求书

1.一种用于刷新半导体存储器装置的方法，其包括以下步骤：

将多个电压电位施加到存储器单元阵列中的存储器单元，其中将多个电压电位施加到所述存储器单元包括：

经由所述阵列的相应源极线将第一电压电位施加到所述存储器单元的第一区；

经由所述阵列的相应局部位线及相应选择晶体管将第二电压电位施加到所述存储器单元的第二区；

将第三电压电位施加到所述阵列的相应字线，其中所述字线与所述存储器单元的主体区间隔开且电容性地耦合到所述主体区，所述主体区为电浮动的且安置于所述第一区与所述第二区之间；及

经由所述阵列的相应载流子注入线将第四电压电位施加到所述存储器单元的第三区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述相应局部位线耦合到多路复用器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多路复用器耦合到全局位线。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多路复用器包括耦合到所述相应局部位线的至少一个屏蔽晶体管。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多路复用器进一步包括耦合到所述相应局部位线的至少一个保持晶体管。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述相应选择晶体管耦合到所述至少一个屏蔽晶体管及所述至少一个保持晶体管。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述半导体存储器装置的所述刷新期间经由所述相应源极线使施加到所述第一区的所述第一电压电位维持在恒定电平。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将选择控制信号施加到所述相应选择晶体管以激活所述相应选择晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：经由所述经激活的相应选择晶体管从在保持操作期间施加到所述相应源极线的所述第二电压电位增加施加到所述相应源极线的所述第二电压电位。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从在保持操作期间施加到所述相应载流子注入线的所述第四电压电位增加施加到所述相应载流子注入线的所述第四电压电位。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将解耦控制信号施加到所述相应选择晶体管以去激活所述相应选择晶体管。

12.根据权利要求11所述的方法，在所述相应选择晶体管被去激活之后，所述相应局部位线为电浮动的。

13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从在保持操作期间施加到所述相应字线的所述第三电压电位增加施加到所述相应字线的所述第三电压电位以便执行读取操作。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第三电压电位的所述增加激活所述存储器单元以减小施加到所述相应局部位线的所述第二电压电位。

15.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从在写入逻辑低操作期间施加到所述相应字线的所述第三电压电位减小施加到所述相应字线的所述第三电压电位以执行写入逻辑高操作。

16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述写入逻辑高操作期间施加到所述相应字线的所述第三电压电位高于在保持操作期间施加到所述相应字线的所述第三电压电位。

17.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将耦合控制信号施加到所述相应选择晶体管以激活所述相应选择晶体管以便执行写入逻辑高操作的结束。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：将施加到所述相应局部位线的所述第二电压电位放电以正向偏置所述第二区与所述第三区之间的结。

19.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从在写入逻辑高操作期间施加到所述相应载流子注入线的所述第四电压电位减小施加到所述相应载流子注入线的所述第四电压电位以执行保持操作。

20.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从在写入逻辑高操作期间施加到所述相应局部位线的所述第二电压电位减小施加到所述相应局部位线的所述第二电压电位以执行保持操作。