[发明专利]用于制造CIGS太阳能电池的组合方法无效
| 申请号： | 201180021286.6 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103026477A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | J·李;U·阿瓦柴特;G·张;T·强;C·亨特 | 申请（专利权）人： | 英特莫里库尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国，加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及形成可被组合地改变和评估的不同类型的Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池和铜铟镓二硒化物(CIGS)太阳能电池的方法。这些方法都包括使用组合处理工具形成位置隔离的区域以及使用这些位置隔离的区域来形成太阳能电池区域。因此，多个太阳能电池可在单个衬底上快速形成用于在组合方法中使用。所述方法的单独过程中的任一个可组合地改变以测试变化的过程条件或材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 cigs 太阳能电池 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种在单个衬底上组合地形成多个太阳能电池的方法，其包括：以位置隔离的方式将一个或多个后接触层沉积在衬底上；以位置隔离的方式将一个或多个吸收层沉积在所述一个或多个后接触层上；以位置隔离的方式将一个或多个缓冲层沉积在所述一个或多个吸收层上；以位置隔离的方式将一个或多个前接触层沉积在所述一个或多个缓冲层上；以及其中所述一个或多个后接触层、一个或多个吸收层、一个或多个缓冲层和一个或多个前接触层一起限定一个或多个可测试的太阳能电池的一个或多个位置隔离的处理区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
