[发明专利]用于制造CIGS太阳能电池的组合方法

权利要求书

1.一种在单个衬底上组合地形成多个太阳能电池的方法，其包括：

以位置隔离的方式将一个或多个后接触层沉积在衬底上；

以位置隔离的方式将一个或多个吸收层沉积在所述一个或多个后接触层上；

以位置隔离的方式将一个或多个缓冲层沉积在所述一个或多个吸收层上；

以位置隔离的方式将一个或多个前接触层沉积在所述一个或多个缓冲层上；以及

其中所述一个或多个后接触层、一个或多个吸收层、一个或多个缓冲层和一个或多个前接触层一起限定一个或多个可测试的太阳能电池的一个或多个位置隔离的处理区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中不同的沉积压力用于将所述一个或多个吸收层沉积在至少两个不同的位置隔离的处理区域上。

3.如权利要求1所述的方法，其中不同的沉积功率用于将所述一个或多个吸收层沉积在至少两个不同的位置隔离的处理区域上。

4.如权利要求1所述的方法，其中不同的沉积电力供应类型用于将所述一个或多个吸收层沉积在至少两个不同的位置隔离的处理区域上。

5.如权利要求1所述的方法，其中不同的衬底温度用于将所述一个或多个吸收层沉积在至少两个不同的位置隔离的处理区域上。

6.如权利要求1所述的方法，还包括以位置隔离的方式将一个或多个后接触层沉积在所述衬底上，其中沉积所述一个或多个后接触层出现在沉积所述一个或多个吸收层之前。

7.如权利要求6所述的方法，还包括沉积连接到所述一个或多个后接触层的一个或多个电极焊盘。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个吸收层通过物理气相沉积来沉积。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个缓冲层通过化学浴沉积来沉积。

10.如权利要求1所述的方法，还包括使用掺杂物来掺杂所述一个或多个吸收层中的至少一个吸收层。

11.如权利要求1所述的方法，还包括使所述一个或多个吸收层中的每个吸收层硫化。

12.如权利要求1所述的方法，还包括使所述一个或多个吸收层中的每个吸收层硒化。

13.如权利要求1所述的方法，还包括在每个位置隔离的处理区域上限定太阳能电池。

14.一种在单个衬底上组合地形成多个太阳能电池的方法，其包括：

以位置隔离的方式将一个或多个后接触层沉积在衬底上，其中所述后接触层包括钼；

以位置隔离的方式将一个或多个吸收层沉积在所述一个或多个后接触层上，其中所述吸收层包括CZTS；

以位置隔离的方式将一个或多个缓冲层沉积在所述一个或多个吸收层上，其中所述缓冲层包括CdS或ZnS之一；

以位置隔离的方式将一个或多个前接触层沉积在所述一个或多个缓冲层上，其中所述前接触层包括ITO或Al:ZnO之一；

其中所述一个或多个后接触层、一个或多个吸收层、一个或多个缓冲层和一个或多个前接触层一起限定一个或多个可测试的太阳能电池的一个或多个位置隔离的处理区域。

15.如权利要求14所述的方法，其中沉积所述一个或多个吸收层包括实质上同时沉积铜、硫化锌和硫化锡。

16.如权利要求14所述的方法，还包括使用掺杂物来掺杂所述一个或多个吸收层中的至少一个吸收层。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述掺杂物包括钠、钾和锑之一。

18.如权利要求14所述的方法，还包括使所述一个或多个吸收层中的每个吸收层硫化。