[发明专利]使用外延沉积以制造结晶硅太阳能电池的方法

摘要

本发明的实施例提供一种薄单晶硅膜太阳能电池以及形成所述太阳能电池的方法。所述方法包括：在硅生长衬底上形成薄单晶硅层，接着在所述薄单晶硅膜上和/或中形成前或后太阳能电池结构。所述方法也包括：将所述薄单晶硅膜附接到机械载体上，然后沿分裂平面将所述生长衬底从所述薄单晶硅膜分离，所述分裂平面形成于所述生长衬底与所述薄单晶硅膜之间。随后在与所述机械载体相对的所述薄单晶硅膜上和/或中形成前或后太阳能电池结构，而完成所述太阳能电池的形成。

主权项

一种形成太阳能电池的方法，所述方法包含：在生长衬底上形成分裂平面；在所述分裂平面上形成外延硅体层；在所述外延硅体层上和/或中形成太阳能电池结构的多个部分；将机械性支撑件附接到与所述生长衬底相对的所述外延硅体层；沿所述分裂平面从所述外延硅体层分离所述生长衬底；以及在与所述机械性支撑件相对的所述外延硅体层上和/或中形成其他太阳能电池特征而完成所述太阳能电池结构的形成。