[发明专利]使用外延沉积以制造结晶硅太阳能电池的方法在审
申请号: | 201180021209.0 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102870229A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·M·吉;查尔斯·盖伊;奈格·B·帕蒂班德拉;奥姆卡拉姆·诺拉马苏;考施·K·辛格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 外延 沉积 制造 结晶 太阳能电池 方法 | ||
1.一种形成太阳能电池的方法,所述方法包含:
在生长衬底上形成分裂平面;
在所述分裂平面上形成外延硅体层;
在所述外延硅体层上和/或中形成太阳能电池结构的多个部分;
将机械性支撑件附接到与所述生长衬底相对的所述外延硅体层;
沿所述分裂平面从所述外延硅体层分离所述生长衬底;以及
在与所述机械性支撑件相对的所述外延硅体层上和/或中形成其他太阳能电池特征而完成所述太阳能电池结构的形成。
2.如权利要求1的方法,其中在生长衬底上形成分裂平面包含:
在所述生长衬底上形成多孔层。
3.如权利要求2的方法,其中在所述生长衬底上形成所述多孔层包含:
在所述生长衬底上形成具有第一孔隙度的底多孔层;以及
在所述底多孔层上形成具有第二孔隙度的顶多孔层,其中所述第一孔隙度大于所述第二孔隙度。
4.如权利要求3的方法,其中形成所述外延硅体层进一步包含:
在所述顶多孔层上形成p型层。
5.如权利要求4的方法,其中在与所述机械性支撑件相对的所述外延硅体层上和/或中形成其他太阳能电池特征而完成所述太阳能电池结构的形成进一步包含:
在与所述机械性支撑件相对的所述外延硅体层中形成多个后发射极;以及
在所述多个后发射极上形成多个触点。
6.如权利要求4的方法,其中在所述外延硅体层上和/或中形成太阳能电池结构的多个部分进一步包含:
对与所述生长衬底相对的所述外延硅体层的表面进行纹理化;
在纹理化的所述外延硅体层上形成ARC层。
7.一种形成太阳能电池的方法,所述方法包含:
在生长衬底上形成具有分裂平面的多孔层;
处理所述多孔层的至少一部分而形成结晶层;
在所述结晶层上和/或中形成太阳能电池结构的多个部分;
将机械性支撑件附接到与所述生长衬底相对的所述结晶层;
沿所述分裂平面从所述结晶层分离所述生长衬底;以及
在与所述机械性支撑件相对的所述结晶层上和/或中形成其他太阳能电池特征而完成所述太阳能电池结构的形成。
8.如权利要求7的方法,其中所述结晶层包含单晶层。
9.如权利要求7的方法,其中处理所述多孔层的至少一部分而形成结晶层包含:
将所述多孔层暴露至电磁辐射。
10.如权利要求7的方法,其中所述多孔层进一步包含:
具有第一孔隙度的底多孔层;以及
具有第二孔隙度的顶多孔层,其中所述顶多孔层具有比所述底多孔层小的孔隙,并且其中所述第一孔隙度大于所述第二孔隙度。
11.一种形成太阳能电池的方法,所述方法包含:
在生长衬底上形成具有分裂平面的多孔层;
在所述多孔层上形成外延硅体层;
在所述外延硅体层中形成多个后发射极;
在所述多个后发射极上形成多个背触点;
将所述多个背触点与机械性支撑件耦接;
沿所述分裂平面从所述机械性支撑件分离所述生长衬底;
在与所述机械性支撑件相对的所述外延硅体层上形成ARC层;以及
将所述ARC层与玻璃上盖板耦接。
12.如权利要求11的方法,其中所述机械性支撑件包含暂时载体、具有过孔的衬底以及印刷电路板中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的