[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180020933.1 | 申请日： | 2011-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102859724A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 安杖尚美;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：准备衬底(10)的工序；在衬底上形成具有由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成并且表面是m面的p型AldGaeN层(p型半导体区域)(26)的氮化物系半导体层叠结构的工序；在p型AldGaeN层(26)的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层(28)并进行加热处理的工序；除去金属层(28)的工序；以及在p型的AldGaeN层(26)的表面上形成p型电极的工序，通过加热处理，p型的AldGaeN层(26)中的N浓度变成高于Ga浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：工序(a)，用于准备衬底；工序(b)，在上述衬底上形成具有p型半导体区域的氮化物系半导体层叠结构，该p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成，并且表面是m面；工序(c)，在上述p型半导体区域的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层并进行加热处理；工序(d)，除去上述金属层；以及工序(e)，在上述p型半导体区域的表面上形成p型电极，通过上述工序(c)的加热处理，上述p型半导体区域中的N浓度变成高于Ga浓度。
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