[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：

工序(a)，用于准备衬底；

工序(b)，在上述衬底上形成具有p型半导体区域的氮化物系半导体层叠结构，该p型半导体区域由Al_xIn_yGa_zN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成，并且表面是m面；

工序(c)，在上述p型半导体区域的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层并进行加热处理；

工序(d)，除去上述金属层；以及

工序(e)，在上述p型半导体区域的表面上形成p型电极，

通过上述工序(c)的加热处理，上述p型半导体区域中的N浓度变成高于Ga浓度。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

通过上述工序(c)的加热处理，上述p型半导体区域中的Ga空穴浓度变成高于N空穴浓度。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

通过上述工序(c)的加热处理，几乎没有Mg或Zn从上述金属层扩散到上述p型半导体区域。

4.根据权利要求1到3的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

上述p型电极包括Ag或Ag合金。

5.根据权利要求1到4的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

上述工序(e)包括在400℃以上600℃以下的温度下加热上述金属层的工序。

6.根据权利要求1到5的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在上述工序(c)中，形成包括Mg层的上述金属层，

上述Mg层是通过脉冲式地照射电子束从而在上述p型半导体区域蒸镀Mg所形成的。

7.根据权利要求1到6的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

在上述金属层是Mg层的情况下，上述工序(c)中的上述加热处理是在550℃以上800℃以下的温度下进行的；

在上述金属层是Zn层或Mg以及Zn的合金层的情况下，上述工序(c)中的上述加热处理是在400℃以上700℃以下的温度下进行的。

8.根据权利要求1到7的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

上述工序(c)中的上述加热处理是在惰性气体的气氛中进行的。

9.根据权利要求1到8的任意一项所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，

包括在上述工序(b)之后除去上述衬底的工序。

10.一种氮化物系半导体发光元件，包括具有表面是m面的p型半导体区域的氮化物系半导体层叠结构和在上述p型半导体区域上设置的电极，

上述p型半导体区域由Al_xIn_yGa_zN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成，

上述p型半导体区域中的N浓度高于Ga浓度。

11.根据权利要求10所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，

上述p型半导体区域中的Ga空穴浓度高于N空穴浓度。

12.根据权利要求10或11所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，

上述电极包括Ag或Ag合金。