[发明专利]两阶梯多蚀刻LDMOS栅形成有效
| 申请号： | 201180020699.2 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102859668A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 马可·A·苏尼加 | 申请（专利权）人： | 沃特拉半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造晶体管的方法，所述方法包括蚀刻栅极的第一侧，所述栅极包含形成在基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料，所述蚀刻步骤移除所述导电材料的第一部分；注入掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准；以及蚀刻所述栅极的第二侧以移除所述导电材料的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 蚀刻 ldmos 形成 | ||
【主权项】：
一种制造晶体管的方法，包括：施用光刻胶于栅极上，所述栅极包含形成于基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料；使用所述光刻胶作为掩模，蚀刻所述栅极以移除所述导电材料的一部分；以及使用所述光刻胶及所述导电材料作为掩模，注入一掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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