[发明专利]两阶梯多蚀刻LDMOS栅形成

权利要求书

1.一种制造晶体管的方法，包括：

施用光刻胶于栅极上，所述栅极包含形成于基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料；

使用所述光刻胶作为掩模，蚀刻所述栅极以移除所述导电材料的一部分；以及

使用所述光刻胶及所述导电材料作为掩模，注入一掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准所述栅极。

2.如权利要求1所述的方法，更包括形成所述氧化物层，使得所述氧化物层的第一侧比该氧化物层的第二侧要薄。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一侧具有小于约的一厚度，而所述第二侧所具有之一厚度至少是所述第一侧之厚度的五倍。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶的厚度小于约0.5微米。

5.如权利要求1所述的方法，其中注入一掺杂区的步骤包括用原子以距离所述基板之一主要表面小于90°的角度轰击所述基板。

6.如权利要求1所述的方法，其中注入一掺杂区的步骤持续进行直到所述基板之一掺杂浓度介于约1x10¹³原子/平方厘米至5x10¹⁸原子/平方厘米之间为止。

7.一种制造晶体管的方法，包括：

蚀刻栅极的一第一侧，所述栅极包含形成在基板上的氧化物层以及形成于所述氧化物层上的导电材料，所述蚀刻步骤移除所述导电材料的第一部分；

注入一掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准；以及

蚀刻所述栅极的第二侧，以移除所述导电材料的第二部分。

8.如权利要求7所述的方法，更包括成形所述氧化物层，使得所述氧化物层之第一侧比所述氧化物层之第二侧要薄。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一侧具有一小于约的厚度，而所述第二侧所具有之一厚度至少是所述第一侧之厚度的五倍。

10.如权利要求7所述的方法，其中注入一掺杂区的步骤包括用原子以距离所述基板之一主要表面小于90°的角度轰击所述基板。

11.如权利要求7所述的方法，其中注入一掺杂区的步骤持续进行直到所述基板的掺杂浓度介于约1x10¹³原子/平方厘米至5x10¹⁸原子/平方厘米之间为止。

12.一种制造晶体管的方法，包括：

施用第一光刻胶于栅极上，所述栅极包含形成于基板上的氧化物层及形成于所述氧化物层上的导电材料；

使用所述第光刻胶作为掩模，蚀刻所述栅极之第一侧以移除所述导电材料的第一部分；

注入一掺杂区至所述基板内，使得所述掺杂区自我对准；

施用第二光刻胶于所述栅极上；以及

使用所述第二光刻胶作为掩模，蚀刻所述栅极之第二侧以移除所述导电材料的第二部分。

13.一种制造集成电路的方法，包括：

于基板上形成多个LDMOS晶体管，每个LDMOS晶体管包含栅极氧化物层，所述栅极氧化物层包含第一侧及第二侧，所述第一侧靠近所述LDMOS晶体管的源极侧而所述第二侧靠近所述LDMOS晶体管的漏极侧，所述第一侧具有一小于约的厚度，而所述第二侧具有等于或大于约的一厚度；

于所述基板上形成多个CMOS晶体管，其中每个CMOS晶体管包含一栅极氧化物层；以及其中形成所述CMOS晶体管的所述栅极氧化物层的步骤与形成所述LDMOS晶体管的所述栅极氧化物层的所述第一侧的步骤是同时发生。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成的所述CMOS晶体管的所述栅极氧化物层与所述LDMOS晶体管的所述栅极氧化物层的所述第一侧具有相同厚度。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述第二侧的厚度至少是所述第一侧之厚度的五倍。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述第一侧的厚度约或更小。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一侧的厚度约或更小。

18.如权利要求13所述的方法，其中形成所述多个LDMOS晶体管的步骤包括沉积LDMOS栅极导体，而形成所述多个CMOS晶体管的步骤包括沉积CMOS栅极导体，并且所述LDMOS栅极导体与所述CMOS栅极导体是同时沉积。