[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180020535.X | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102859705A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种使用氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在具有氧化物半导体膜的底栅的晶体管的制造工序中，进行通过热处理的脱水化或脱氢化以及进行氧掺杂处理。具有受到通过热处理的脱水化或脱氢化以及氧掺杂处理的氧化物半导体膜的晶体管是具有高可靠性的晶体管，其中在偏压－热应力试验（BT试验）中晶体管的阈值电压的变化量可以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成栅电极层；在所述栅电极层上形成第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜上与所述栅电极层重叠地形成氧化物半导体膜；对所述氧化物半导体膜进行热处理，以去除所述氧化物半导体膜中的氢原子；对所述氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，以对所述氧化物半导体膜中供应氧原子；形成与所述氧化物半导体膜电连接的源电极层及漏电极层；以及在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上，与所述氧化物半导体膜接触地形成第二绝缘膜。
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