[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成第一栅极绝缘膜；

在所述第一栅极绝缘膜上与所述栅电极层重叠地形成氧化物半导体膜；

对所述氧化物半导体膜进行热处理，以去除所述氧化物半导体膜中的氢原子；

对所述氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，以对所述氧化物半导体膜中供应氧原子；

形成与所述氧化物半导体膜电连接的源电极层及漏电极层；以及

在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上，与所述氧化物半导体膜接触地形成第二绝缘膜。

2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对所述氧化物半导体膜进行所述氧掺杂处理，以便使其以大于化学计量比且小于所述化学计量比的2倍的比率包含氧原子。

3. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一个是包含所述氧化物半导体膜的构成要素的绝缘膜。

4. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的一个是包含所述氧化物半导体膜的构成要素的绝缘膜，并且另一个是包含与所述绝缘膜的所述构成要素不同的要素的膜。

5. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一个是包含氧化镓的绝缘膜。

6. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的一个是包含氧化镓的绝缘膜，并且另一个是包含氧化镓以外的材料的膜。

7. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成覆盖所述第二绝缘膜的包含氮的第三绝缘膜。

8. 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成包含氧原子作为其成分的第一栅极绝缘膜；

对所述第一栅极绝缘膜进行氧掺杂处理，以对所述第一栅极绝缘膜中供应氧原子；

在所述第一栅极绝缘膜上与所述栅电极层重叠地形成氧化物半导体膜；

对所述氧化物半导体膜进行热处理，以去除所述氧化物半导体膜中的氢原子；

对所述氧化物半导体膜进行氧掺杂处理，以对所述氧化物半导体膜中供应氧原子；

形成与所述氧化物半导体膜电连接的源电极层及漏电极层；

在所述氧化物半导体膜、所述源电极层及所述漏电极层上，与所述氧化物半导体膜接触地形成包含氧原子作为其成分的第二绝缘膜；以及

对所述第二绝缘膜进行氧掺杂处理，以对所述第二绝缘膜中供应氧原子。

9. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中对所述氧化物半导体膜进行所述氧掺杂处理，以便使其以大于化学计量比且小于所述化学计量比的2倍的比率包含氧原子。

10. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一个是包含所述氧化物半导体膜的构成要素的绝缘膜。

11. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的一个是包含所述氧化物半导体膜的构成要素的绝缘膜，并且另一个是包含与所述绝缘膜的所述构成要素不同的要素的膜。

12. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一个是包含氧化镓的绝缘膜。

13. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一栅极绝缘膜和所述第二绝缘膜中的一个是包含氧化镓的绝缘膜，并且另一个是包含氧化镓以外的材料的膜。

14. 根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中形成覆盖所述第二绝缘膜的包含氮的第三绝缘膜。