[发明专利]强电介质器件

摘要

一种强电介质器件，具备：下部电极（第1电极）（14a），形成在硅基板（第1基板）（10）的一表面侧；强电介质膜（14b），形成在下部电极（14a）的与第1基板（10）侧相反的一侧；以及上部电极（第2电极）（14c），形成在强电介质膜（14b）的与下部电极（14a）侧相反的一侧，强电介质膜（14b）由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成。在下部电极（14a）的正下方设置有缓冲层（14d），缓冲层（14d）由与强电介质膜（14b）之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，在第1基板（10）上形成有空洞（10a），该空洞（10a）使缓冲层（14d）的与下部电极（14a）侧相反的一侧的表面露出。

主权项

一种强电介质器件，其特征在于，具备：硅基板；第1电极，形成在所述硅基板的一表面侧；强电介质膜，形成在所述第1电极的与所述硅基板侧相反的一侧；以及第2电极，形成在所述强电介质膜的与所述第1电极侧相反的一侧；所述强电介质膜由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成，在所述硅基板和所述第1电极之间设置有缓冲层，该缓冲层由与所述强电介质膜之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，所述硅基板形成有空洞，该空洞使所述缓冲层的与所述第1电极侧相反的表面露出。